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【发明公布】一种Dummy read控制方法、装置及介质_山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司_202111632253.7 

申请/专利权人:山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司

申请日:2021-12-28

公开(公告)日:2022-04-29

公开(公告)号:CN114415947A

主分类号:G06F3/06

分类号:G06F3/06

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2022.05.20#实质审查的生效;2022.04.29#公开

摘要:本申请公开一种Dummyread控制方法、装置及介质,涉及硬盘技术领域。本申请所提供的Dummyread控制方法,通过每隔第一预设时间,检测NandFlash存储器的工作环境,根据NandFlash存储器的工作环境,每隔对应的预设时间间隔对NandFlash存储器执行Dummyread操作。比起目前的采用固定的时间间隔进行Dummyread的方式,NandFlash存储器可以通过检测工作环境,根据不同工作环境采用不同的预设时间间隔,避免选取的时间间隔过大带来不能精确的消除首次读取效应的影响,选取时间间隔过小带来的冗余操作的问题,提高NandFlash存储器的存储效率。

主权项:1.一种Dummyread控制方法,其特征在于,应用于NandFlash存储器,包括:每隔第一预设时间,检测所述NandFlash存储器的工作环境;根据所述NandFlash存储器的工作环境,确定所述工作环境对应的预设时间间隔;其中,所述工作环境以及其对应的所述预设时间间隔经过测试得到,测试过程包括,设置所述NandFlash存储器的工作环境,所述工作环境包括所述NandFlash存储器的磨损阶段、工作环境温度,测试使用的所述NandFlash存储器为至少两个,一个所述NandFlash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的所述测试时间间隔测试,读取各所述NandFlash存储器在测试结束时的数据,获取到所述数据中读取出错的位数,并根据所述读取出错的位数计算得到所述NandFlash存储器的预设时间间隔;按照确定出的所述预设时间间隔对所述NandFlash存储器执行Dummyread操作。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 一种Dummy read控制方法、装置及介质

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