申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2022-08-11

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579361A

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L29/06;H01L21/8234;B82Y10/00

优先权：["20210831 US 17/463,365"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.06#公开

摘要：一种集成电路装置，包括基板、基板之上第一纳米结构通道及基板与第一纳米结构通道之间的第二纳米结构通道。内间隔物位于第一纳米结构通道与第二纳米结构通道之间。栅极结构抵接第一纳米结构通道、第二纳米结构通道与内间隔物。衬层位于内间隔物与栅极结构之间。

主权项：1.一种集成电路装置，包括：一基板；一第一纳米结构通道，位于该基板之上；一第二纳米结构通道，位于该第一纳米结构通道与该基板之间；一内间隔物，位于该第一纳米结构通道与该第二纳米结构通道之间；一栅极结构，抵接该第一纳米结构通道、该第二纳米结构通道与该内间隔物；以及一衬层，位于该内间隔物与该栅极结构之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路装置

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