申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2022-10-25

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN115579324A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/522

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本发明提供一种中介层结构及其制作方法，包括：提供一基板；形成第一开孔，在第一开孔中填充第一导电层；在基板的第一表面形成第一介质层，在第一介质层中形成第一再分布金属层；形成第二开孔，在第二开孔中填充第二导电层；在基板的第二表面形成第二介质层，在第二介质层中形成第二再分布金属层。在基板厚度方向的两侧均形成再分布金属层用于布线，满足高密度互联的需求。第一开孔和第二开孔分别从基板厚度方向的两侧形成且连通构成TSV孔，从而可制作较厚的中介层；克服TSV孔中电镀填充金属层等工艺中深宽比工艺极限的限制，降低了中介层高温下形变影响，甚至可以省去集成电路衬底单独使用，节约了成本与功耗。

主权项：1.一种中介层结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板具有相背的第一表面和第二表面，所述第一表面开设第一开孔，所述第一开孔从所述第一表面延伸至所述基板中，所述第一开孔中填充第一导电层；在所述基板第一表面形成第一介质层，所述第一介质层中形成第一再分布金属层，所述第一再分布金属层与所述第一导电层电连接；将所述第一介质层远离所述基板的一侧与第一载板键合，在所述基板第二表面开设第二开孔，所述第二开孔从所述第二表面延伸至所述基板中与所述第一开孔连通，所述第二开孔中填充第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层电连接；在所述基板第二表面形成第二介质层，所述第二介质层中形成第二再分布金属层，所述第二再分布金属层与所述第二导电层电连接；在所述第二介质层远离所述基板的一侧形成第一键合结构，所述第一键合结构与所述第二再分布金属层电连接；将所述第一键合结构键合至第二载板，去除所述第一载板后在所述第一介质层远离所述基板的一侧形成第二键合结构，所述第二键合结构与所述第一再分布金属层电连接，去除所述第二载板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 中介层结构及其制作方法

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