申请/专利权人：云谷(固安)科技有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832192A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本申请提供了一种中介层及其制备方法和封装结构，涉及半导体芯片封装技术领域，改善了TGV填充工艺。本申请提供的中介层包括基板、导电层和种子层，基板包括沿基板的厚度方向贯穿基板的通孔，导电层填充于通孔，导电层包括第一导电部和第二导电部，第一导电部和第二导电部沿厚度方向排布，种子层位于第一导电部和第二导电部之间。本申请采用第一导电部和第二导电部这两个导电部填充通孔，避免了由于通孔的深宽比较高导致填充不充分，从而导致的导电层不连续即开路的问题。对于第一导电部或第二导电部而言，其对应的通孔的深宽比较低，保证了通孔的充分填充，改善了导电层的连续性，从而改善了TGV填充工艺。

主权项：1.一种中介层，用于连接芯片和电路板，其特征在于，所述中介层包括：基板，包括沿所述基板的厚度方向贯穿所述基板的通孔；导电层，填充于所述通孔；所述导电层包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部和所述第二导电部沿所述厚度方向排布；以及种子层，位于所述第一导电部和所述第二导电部之间，所述第一导电部和所述第二导电部通过所述种子层电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 云谷(固安)科技有限公司 中介层及其制备方法和封装结构

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