申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司

申请日：2019-02-14

公开（公告）日：2023-01-06

公开（公告）号：CN111341783B

主分类号：H10B43/00

分类号：H10B43/00;H10B43/10;H10B43/30;H10B43/40

优先权：["20181218 TW 107145666"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.06#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开

摘要：本发明公开一种内存组件及其制造方法。其中该内存组件包括基底、第一与第二字符线、第一与第二电荷捕捉层、第一漏极区与第一源极区。基底具有沿第一方向延伸的第一与第二凹陷。第一字符线与第一电荷捕捉层设置于第一凹陷中，且第二字符线与第二电荷捕捉层设置于第二凹陷中。第一电荷捕捉层位于第一字符线与第一凹陷的侧壁之间，且第二电荷捕捉层位于第二字符线与第二凹陷的侧壁之间。第一漏极区与第一源极区设置于基底中且分别沿第二方向延伸于第一与第二电荷捕捉层之间。

主权项：1.一种内存组件，其特征在于，包括：基底，具有沿第一方向延伸的第一凹陷与第二凹陷，其中所述第一方向平行于所述基底的表面；第一字符线与第二字符线，分别设置于所述第一凹陷与所述第二凹陷中，且均沿所述第一方向延伸；第一电荷捕捉层与第二电荷捕捉层，分别设置于所述第一凹陷与所述第二凹陷中，其中所述第一电荷捕捉层位于所述第一字符线与所述第一凹陷的侧壁之间，且所述第二电荷捕捉层位于所述第二字符线与所述第二凹陷的侧壁之间；第一漏极区与第一源极区，设置于所述基底中且分别沿第二方向延伸于所述第一电荷捕捉层与所述第二电荷捕捉层之间，其中所述第二方向平行于所述基底的所述表面并交错于所述第一方向，且所述第一漏极区与所述第一源极区彼此分离；第二漏极区与第二源极区，设置于所述基底中且相对于所述第一字符线或所述第二字符线而分别镜像对称于所述第一漏极区与所述第一源极区；以及信号线，包括设置于所述基底上且沿所述第二方向延伸的第一漏极线、第二漏极线、第一源极线与第二源极线，其中所述第一漏极线、所述第二漏极线、所述第一源极线与所述第二源极线依序沿所述第一方向排列，所述第一漏极区与所述第一源极区分别电连接至所述第一漏极线与所述第一源极线，且所述第二漏极区与所述第二源极区分别电连接至所述第二漏极线与所述第二源极线。

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权利要求：

百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 内存组件及其制造方法

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