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【发明公布】一种基于散斑域高斯分布拟合的通道划痕深度和宽度测定方法_上海施美德源高新科技有限责任公司_202211216684.X 

申请/专利权人:上海施美德源高新科技有限责任公司

申请日:2022-09-30

公开(公告)日:2023-01-20

公开(公告)号:CN115628692A

主分类号:G01B11/02

分类号:G01B11/02;G01B11/22;G06T7/50;G06T7/60

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.20#公开

摘要:本发明公开了一种基于散斑域高斯分布拟合的通道划痕深度和宽度测定方法,其通过探查通道的导光束和相机配合相干激光照明,采集通道内原始激光散斑图像,通过划取图像中垂直划痕的直线进行散斑域高斯分布拟合,来测定目标划痕的深度和宽度。本发明提供的方案能够应用到特定内窥镜管道直径下,有效的测定划痕的深度和宽度。

主权项:1.基于散斑域高斯分布拟合的通道划痕深度和宽度测定方法,其特征在于,通过探查通道的导光束和相机配合相干激光照明,采集通道内原始激光散斑图像,通过划取图像中垂直划痕的直线进行散斑域高斯分布拟合,来测定目标划痕的深度和宽度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海施美德源高新科技有限责任公司 一种基于散斑域高斯分布拟合的通道划痕深度和宽度测定方法

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