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【发明公布】非易失性存储器及其编程方法_旺宏电子股份有限公司_202111286712.0 

申请/专利权人:旺宏电子股份有限公司

申请日:2021-11-02

公开(公告)日:2023-01-24

公开(公告)号:CN115641895A

主分类号:G11C16/12

分类号:G11C16/12;G11C16/14;G11C16/34

优先权:["20210720 US 63/223,552","20211027 US 17/511,802"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要:本公开提供了一种非易失性存储器及其编程方法。非易失性存储器的编程方法包括以下步骤。执行一粗略编程程序,以将所有位于一擦除状态的多个存储单元编程至2N‑1或2N个编程状态。N为一正整数。执行一精细编程程序,以将所有存储单元推至2N‑1或2N个验证电平。

主权项:1.一种非易失性存储器的编程方法,包括:执行一粗略编程程序,以将所有位于一擦除状态的多个存储单元编程至2N-1或2N个编程状态,其中N为一正整数;以及执行一精细编程程序,以将所有这些存储单元推至2N-1或2N个验证电平。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 旺宏电子股份有限公司 非易失性存储器及其编程方法

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