申请/专利权人：之江实验室

申请日：2022-12-07

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN115639698A

主分类号：G02F1/01

分类号：G02F1/01;G02F1/00

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.03.22#发明专利申请公布后的驳回;2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.24#公开

摘要：本发明公开了一种基于相变材料硫化锑的C波段硅波导微环调制器，所述调制器包括微环结构，直波导结构和超材料结构，所述微环结构为环形波导，所述直波导结构位于所述微环结构外侧，所述超材料结构由相变材料硫化锑制备，位于所述微环结构上方，并与所述微环结构构成发挥调制作用的复合区，通过调整所述超材料结构的物理状态，激发硫化锑材料的相变，从而改变输入光在波导中的传输状态，实现信号的调制。本发明具有折射率调节范围更大，结构更紧凑的优点，同时仅需在调制状态切换时提供能量，极大地降低了系统的能耗，可应用于高速、低功耗的硅基光电子器件大规模集成，如超高速共封装光学等。

主权项：1.一种基于相变材料硫化锑的C波段硅波导微环调制器，其特征在于：所述调制器包括微环结构1，直波导结构3和超材料结构2，所述微环结构1为环形波导，所述直波导结构3位于所述微环结构1外侧，所述超材料结构2由相变材料硫化锑制备，位于所述微环结构1上方，并与所述微环结构1构成发挥调制作用的复合区，通过调整所述超材料结构1的物理状态，激发硫化锑材料的相变，从而改变输入光在波导中的传输状态，实现信号的调制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 之江实验室 基于相变材料硫化锑的C波段硅波导微环调制器及调制方法

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