申请/专利权人：微软技术许可有限责任公司

申请日：2021-03-02

公开（公告）日：2023-01-31

公开（公告）号：CN115668453A

主分类号：H01L21/20

分类号：H01L21/20;H10N60/01

优先权：["20200529 US 16/887,635"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.17#实质审查的生效;2023.01.31#公开

摘要：本公开涉及一种纳米线结构，其包括具有衬底本体和离子注入区域的衬底、在衬底之上的具有开口的图案化掩模、以及纳米线。在此，衬底本体由导电材料形成，并且从衬底本体的顶表面延伸到衬底本体中的离子注入区域是电绝缘的。衬底本体的表面部分通过图案化掩模的开口被暴露，而离子注入区域被图案化掩模完全覆盖。纳米线直接形成于衬底本体的暴露表面部分之上，并且不与离子注入区域接触。此外，纳米线被限制在离子注入区域内，使得离子注入区域被配置为在衬底中提供纳米线的导电屏障。

主权项：1.一种纳米线结构，包括：衬底，包括衬底本体和离子注入区域，其中：所述衬底本体由导电材料形成；并且所述离子注入区域是电绝缘的并且从所述衬底本体的顶表面延伸到所述衬底本体中；设置在所述衬底之上的图案化掩模，其中：所述图案化掩模包括开口，所述衬底本体的所述顶表面的表面部分通过所述开口被暴露；并且所述图案化掩模完全覆盖所述离子注入区域；以及纳米线，通过所述图案化掩模的所述开口直接形成在所述衬底本体的暴露的所述表面部分之上，其中：所述纳米线不与所述离子注入区域接触；并且所述纳米线被限制在所述离子注入区域内，使得所述离子注入区域被配置为在所述衬底中提供所述纳米线的导电屏障。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 微软技术许可有限责任公司 利用离子注入进行SAG纳米线生长

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