申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2023-03-03

公开（公告）号：CN115731999A

主分类号：G11C16/10

分类号：G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34;G11C16/04

优先权：["20210901 US 63/239,748","20220823 US 17/893,364"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.21#实质审查的生效;2023.03.03#公开

摘要：本申请案涉及连续存储器编程操作。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个导电线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列。所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的当前编程脉冲之后暂停所述存储器编程操作，其中所述当前编程脉冲在第一电压电平下执行；发起所述存储器存取操作；和通过在超过所述第一电压电平的第二电压电平下执行下一编程脉冲来重新开始所述存储器编程操作。

主权项：1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个导电线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的当前编程脉冲之后暂停所述存储器编程操作，其中所述当前编程脉冲在第一电压电平下执行；发起所述存储器存取操作；和通过在超过所述第一电压电平的第二电压电平下执行下一编程脉冲来重新开始所述存储器编程操作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 连续存储器编程操作

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