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【发明公布】质量分析装置_株式会社岛津制作所_202080102755.6 

申请/专利权人:株式会社岛津制作所

申请日:2020-08-20

公开(公告)日:2023-03-14

公开(公告)号:CN115803614A

主分类号:G01N27/626

分类号:G01N27/626

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要:本发明的质量分析装置具备离子源,离子源1具备:离子化室10,具有离子射出口101与夹着离子光轴对置配置的电子导入口102及电子排出口103,在内部形成与外部大致划分的空间;反射电极14,配置在离子化室的内部且离子光轴上,形成将离子通过离子射出口向外部推出的电场;灯丝11,在电子导入口外侧以与离子光轴沿相同方向延伸的方式配置;阱电极12,配置在电子排出口的外侧;磁场形成部13,为了控制热电子的轨道而形成磁场,将电子导入口的离子射出口侧的端部与该侧的离子化室的壁部内表面之间的第1距离、及电子导入口的反射电极侧的端部与反射电极之间的第2距离双方或其中任一方规定为大于热电子的旋转半径。

主权项:1.一种质量分析装置,具备使试样气体中包含的试样成分离子化的离子源,其特征在于,所述离子源具备:离子化室,具有离子射出口、和夹着从该离子射出口射出的离子流的中心轴即离子光轴而对置配置的电子导入口及电子排出口,在其内部形成与外部大致划分的空间;反射电极,配置在所述离子化室的内部且配置在所述离子光轴上,形成将在该离子化室内生成的离子通过所述离子射出口向外部推出的电场;灯丝,在所述电子导入口的外侧以与所述离子光轴沿相同方向延伸的方式配置;阱电极,配置在所述电子排出口的外侧;磁场形成部,为了控制从所述灯丝通过所述离子化室的内部并朝向所述阱电极的热电子的轨道而形成磁场,将第1距离及第2距离双方或其中任一方规定为大于使用赋予热电子的能量和由所述磁场形成部形成的磁场的强度而推定的热电子的旋转半径,所述第1距离为所述电子导入口的所述离子射出口侧的端部与形成有该离子射出口的所述离子化室的壁部内表面之间的沿着所述离子光轴的方向的距离,所述第2距离为所述电子导入口的所述反射电极侧的端部与该反射电极之间的沿着所述离子光轴的方向的距离。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社岛津制作所 质量分析装置

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