申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115798563A

主分类号：G11C29/50

分类号：G11C29/50;G11C29/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本公开是关于一种测试芯片的方法、放热电路及芯片，所述测试芯片的方法包括：提供待测芯片；于所述待测芯片上固定放热电路，所述放热电路包括用于获取所述待测芯片温度的传感器以及用于通电放热的电热转化器件；将所述放热电路连通电源。本公开通过芯片自主升温，配合与芯片接触的传感器，节约了硬件资源，缩短了检测耗时，提高了测试过程中待测芯片温度的准确性，而且能够对同批次中不同单个芯片同时进行目标温度不同的个性化检测。

主权项：1.一种测试芯片的方法，其特征在于，包括：提供待测芯片；于所述待测芯片上固定放热电路，所述放热电路包括用于获取所述待测芯片温度的传感器以及用于通电放热的电热转化器件；将所述放热电路连通电源。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 测试芯片的方法、放热电路以及芯片

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