申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-12-08

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115793764A

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开

摘要：本发明提供了一种带高阶温度补偿的基准电压源电路，包括：启动电路，用于使整体电路摆脱零电流简并点，达到期望的稳定工作点；基准核电路，用于得到经一阶温度补偿后的基准电压；高阶温度补偿电路，用于产生高阶项的正温度系数补偿电流以优化温度系数。本发明采用的高阶温度补偿电路对温度系数的改善效果明显，且为全CMOS结构，结构简单，避免了电阻的使用，因而占用较小的版图面积；另外补偿电路基于亚阈值区的MOS管，静态电流小，增加的额外功耗低。

主权项：1.一种带高阶温度补偿的基准电压源电路，其特征在于，包括：启动电路，用于使整体电路摆脱零电流简并点，达到期望的稳定工作点；基准核电路，用于产生经一阶温度补偿后的基准电压；高阶温度补偿电路，用于为所述基准核电路提供高阶正温度系数补偿电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种带高阶温度补偿的基准电压源电路

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