申请/专利权人：致真存储(北京)科技有限公司

申请日：2022-12-27

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115835765A

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.07#实质审查的生效;2023.03.21#公开

摘要：本公开涉及半导体器件及其制造技术领域，具体涉及一种磁存储器及其制造方法，所述磁存储器包括：自旋轨道矩提供层；磁隧道结，设置于所述自旋轨道矩提供层上；其中，与所述自旋轨道矩提供层接触的所述磁隧道结的膜层下表面的宽度为R，与所述磁隧道结接触的所述自旋轨道矩提供层的膜层上表面的宽度为L，L小于或等于R。由于磁存储器中的自旋轨道矩提供层的宽度小于或等于磁隧道结的宽度，因此在刻蚀磁隧道结时，刻蚀停止层由自旋轨道矩提供层变为金属层间介质，从而解决了不同MTJ结之间存活率的均匀性较差的问题，且避免了刻蚀过程中MTJ侧壁再沉积的问题，进而提高了器件存活率。

主权项：1.一种磁存储器，其特征在于，所述磁存储器至少包括：自旋轨道矩提供层；磁隧道结，设置于所述自旋轨道矩提供层上，所述磁隧道结包括的自由层在所述自旋轨道矩提供层产生的自旋流的作用下磁矩方向发生翻转；其中，与所述自旋轨道矩提供层接触的所述磁隧道结的膜层下表面的宽度为R，与所述磁隧道结接触的所述自旋轨道矩提供层的膜层上表面的宽度为L，L小于或等于R。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 致真存储(北京)科技有限公司 磁存储器及其制造方法

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