申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831898A

主分类号：H01L23/488

分类号：H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56;H01L29/423

优先权：["20210916 DE 102021124003.4"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.21#公开

摘要：一种功率半导体器件（1）包括半导体本体（10）和在半导体本体（10）处的第一端子（11）。第一端子（11）具有用于邻接包封件（15）的第一侧（11‑1）和用于邻接半导体本体（10）的第二侧（11‑2）。第一端子（11）包括：在第一侧（11‑1），顶层（111）；以及在第二侧（11‑2），与顶层（111）耦合的基层（112），其中顶层（111）的侧壁（1111）和基层（121）的侧壁（1121）中的至少一个相对于水平面以小于85°的角度（α1，α2）布置。

主权项：1.一种功率半导体器件（1），包括：-半导体本体（10）；和-在半导体本体（10）处的第一端子（11），其中第一端子（11）具有用于邻接包封件（15）的第一侧（11-1）和用于邻接半导体本体（10）的第二侧（11-2），第一端子（11）包括：○在第一侧（11-1），顶层（111）；和○在第二侧（11-2），与顶层（111）耦合的基层（112），其中顶层（111）的侧壁（1111）和基层（112）的侧壁（1121）中的至少一个相对于水平面以小于85°的角度（α1，α2）布置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法

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