申请/专利权人：江苏时代芯存半导体有限公司;北京时代全芯存储技术股份有限公司

申请日：2022-11-28

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN115831792A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.21#公开

摘要：本发明提供一种晶圆缺陷检测方法，属于半导体集成电路制造领域。该检测方法包括：第一PVD步骤：在晶圆表面上形成GST薄膜层；曝光步骤：在GST薄膜层上涂一层光刻胶，并对光刻胶进行曝光和显影；第一检测步骤：检测晶圆表面是否存在大颗粒；曝光重工步骤：如果存在大颗粒，则先去除图案化的光刻胶层，然后在相变材料薄膜层上涂一层新光刻胶，再对新光刻胶进行曝光和显影；第二检测步骤：检测晶圆表面的大颗粒数量是否增加；第二PVD步骤：如果未增加，则在测试晶圆表面上形成GST薄膜层；第三检测步骤：检测测试晶圆表面是否存在大颗粒；判定步骤：如果存在，则判定PVD机台的相关腔室存在异常；以及保养步骤：对存在异常的PVD机台的相关腔室进行保养。

主权项：1.一种晶圆缺陷检测方法，所述检测方法使用的设备包括：物理气相沉积机台、曝光机台和检测机台，所述检测方法包括：第一物理气相沉积步骤S100：通过所述物理气相沉积机台在所述晶圆的表面上进行相变材料物理气相沉积，在所述晶圆表面上形成相变材料薄膜层；曝光步骤S200：在所述相变材料薄膜层上涂一层光刻胶，并通过所述曝光机台对所述光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶层；第一检测步骤S300：通过所述检测机台检测所述晶圆表面是否存在大颗粒；曝光重工步骤S400：如果存在大颗粒，则先去除所述图案化的光刻胶层，然后在所述相变材料薄膜层上涂一层新光刻胶，再通过所述曝光机台对所述新光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的新光刻胶层；第二检测步骤S500：通过所述检测机台检测所述晶圆的表面的大颗粒数量是否增加；第二物理气相沉积步骤S600：如果所述晶圆的表面的大颗粒数量未增加，则通过所述物理气相沉积机台在测试晶圆的表面上进行相变材料物理气相沉积，在所述测试晶圆表面上形成相变材料薄膜层；第三检测步骤S700：通过所述检测机台检测所述测试晶圆表面是否存在大颗粒；判定步骤S800：如果所述测试晶圆表面存在大颗粒，且所述大颗粒的位置与所述晶圆表面的大颗粒的位置相同，则判定所述物理气相沉积机台的相关腔室存在异常；以及保养步骤S900：对存在异常的所述物理气相沉积机台的相关腔室进行保养。

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权利要求：

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