申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社

申请日：2018-05-25

公开（公告）日：2023-03-21

公开（公告）号：CN109216381B

主分类号：H01L27/144

分类号：H01L27/144;H04N25/70

优先权：["20170629 JP 2017-127582"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.21#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2019.01.15#公开

摘要：提供能提高检测光入射的定时中的时间分辨率的光检测装置及摄像装置。光检测装置具备：光电转换部；第一电荷转送路径，第一端与光电转换部连接，在从第一端向第二端的第一方向上转送来自光电转换部的电荷；第二电荷转送路径，从第一电荷转送路径的第一位置分支；第三电荷转送路径，从第一电荷转送路径的在第一方向上与第一位置相比离光电转换部更远的第二位置分支；第一电荷积蓄部；第二电荷积蓄部；第一栅极电极，对第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；以及至少一个第二栅极电极，对第二及第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，在平面视时，第三电荷转送路径的宽度比第二电荷转送路径的宽度更宽。

主权项：1.一种光检测装置，具备：光电转换部，生成电荷；第一电荷转送路径，具有第一端和第二端，所述第一端与所述光电转换部连接，所述第一电荷转送路径在从所述第一端向所述第二端的第一方向上转送来自所述光电转换部的电荷；第二电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第一位置分支；第三电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第二位置分支，在所述第一方向上所述第二位置离所述光电转换部比所述第一位置离所述光电转换部更远；第一电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第二电荷转送路径转送的电荷；第二电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第三电荷转送路径转送的电荷；第一栅极电极，对所述第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；以及至少一个第二栅极电极，对所述第二电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，以及对所述第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，在平面视时，所述第三电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度更宽。

全文数据：光检测装置及摄像装置技术领域本公开涉及对光进行检测的光检测装置。背景技术已知检测光入射的定时的光检测装置例如参照专利文献1。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-17583号公报发明内容发明要解决的课题根据上述的光检测装置例如为摄像元件，能够以一定程度的精度来检测光入射的定时。但是，在检测光入射的定时中，期望进一步的时间分辨率的提高。因此，本公开的目的在于，提供能提高检测光入射的定时中的时间分辨率的光检测装置及摄像装置。用于解决课题的手段本公开的一方式所涉及的光检测装置具备：光电转换部，生成电荷；第一电荷转送路径，具有第一端和第二端，所述第一端与所述光电转换部连接，所述第一电荷转送路径在从所述第一端向所述第二端的第一方向上转送来自所述光电转换部的电荷；第二电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第一位置分支；第三电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上与所述第一位置相比离所述光电转换部更远的第二位置分支；第一电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第二电荷转送路径转送的电荷；第二电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第三电荷转送路径转送的电荷；第一栅极电极，对所述第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；以及至少一个第二栅极电极，对所述第二电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，以及对所述第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，在平面视时，所述第三电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度更宽。本公开的一方式所涉及的摄像装置具备阵列状地配置由上述光检测装置构成的多个像素的像素阵列。发明效果根据上述结构的光检测装置及摄像装置，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。附图说明图1是实施方式一所涉及的光检测装置的平面图。图2是实施方式一所涉及的光检测装置的X1-X2线上的截面图。图3是实施方式一所涉及的光检测装置的Y1-Y2线上的截面图。图4是在实施方式一所涉及的光检测装置中形成的电荷转送路径的示意图。图5是表示第一电荷转送路径转送电荷的情形的示意图。图6是表示第二电荷转送路径转送电荷的情形的示意图。图7是表示第六电荷转送路径转送电荷的情形的示意图。图8是表示各晶体管TG1～TG5的每单位栅极宽度的电流-电压特性的特性图。图9是表示实施方式一所涉及的摄像装置的结构的框图。图10是表示在第一电荷转送路径中正行进的电荷群的分布的示意图。图11是实施方式二所涉及的光检测装置10的平面图。图12是在实施方式二所涉及的光检测装置中形成的电荷转送路径的示意图。图13是表示实施方式二所涉及的摄像装置的结构的框图。图14是表示在第一电荷转送路径中正行进的电荷群的分布的示意图。图15是实施方式三所涉及的光检测装置的平面图。图16是在实施方式三所涉及的光检测装置中形成的电荷转送路径的示意图。图17是表示实施方式三所涉及的摄像装置的结构的框图。图18是表示实施方式四所涉及的摄像装置的结构的框图。图19是参考例所涉及的光检测装置的结构图。图20是表示参考例所涉及的光检测装置中的正行进的电荷群的分布的示意图。标号说明：1、1a、1b、1c摄像装置10、10a、10b光检测装置11第一栅极电极12第二栅极电极13光电转换部14电荷扫掠部21、21a第一电荷积蓄部22、22a、22b第二电荷积蓄部23、23a第三电荷积蓄部24、24a、24b第四电荷积蓄部25、25a第五电荷积蓄部41第一电荷转送路径42、42a第二电荷转送路径43、43a、43b第三电荷转送路径44、44a第四电荷转送路径45、45a、45b第五电荷转送路径46、46a第六电荷转送路径50、50a、50b、50c像素阵列51垂直扫描电路52、52a读出电路53、53c信号处理部。具体实施方式达成本公开的一方式的知识在此，首先说明参考例的光检测装置。图19是参考例所涉及的光检测装置即，摄像元件101的结构图。在参考例的光检测装置中，首先，对第一栅极电极111的电位进行控制，从而在第一栅极电极111下形成通道也称为转送通道。并且，使光入射到受光部113从而生成的电荷群在该转送通道内从受光部113侧向电荷扫掠部114侧行进。并且，在电荷群正行进时，对第二栅极电极112的电位进行控制，从而将该正行进的电荷群的至少一部分，分别导入至与读出电路120a～120e连接的多个FD。并且，通过确定正行进的电荷群的至少一部分从哪个位置的FD被读出，来检测产生了该电荷群的时刻、即光入射的定时。在此，在参考例的光检测装置中，如图19所示，从在第一栅极电极111下形成的通道分支的各分支转送通道的宽度相等。发明人关于上述参考例的光检测装置，为了进一步提高检测光入射的定时中的时间分辨率而反复进行研究。图20是表示参考例的光检测装置中的正行进的电荷群的分布的示意图。如同图所示，关于正行进的电荷群，其行进距离越长、即行进至离受光部113越远，则其电荷密度的分布越宽。因此，行进至离受光部113较远的位置例如为图19中的TG3、TG4、TG5附近的电荷群有时由多个读出电路读出。此外，在相互不同的第一电荷群和第二电荷群行进至离受光部113较远的位置例如为图20中的TG3、TG4、TG5附近的情况下，有时产生第一电荷群的一部分和第二电荷群的一部分混合的区域。发明人发现了：在光检测装置中，通过抑制这些现象导致的影响，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。发明人反复进行这样的研究，其结果是想到了下述光检测装置及摄像装置。本公开的一方式所涉及的光检测装置具备：光电转换部，生成电荷；第一电荷转送路径，具有第一端和第二端，所述第一端与所述光电转换部连接，所述第一电荷转送路径在从所述第一端向所述第二端的第一方向上转送来自所述光电转换部的电荷；第二电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第一位置分支；第三电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上与所述第一位置相比离所述光电转换部更远的第二位置分支；第一电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第二电荷转送路径转送的电荷；第二电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第三电荷转送路径转送的电荷；第一栅极电极，对所述第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；以及至少一个第二栅极电极，对所述第二电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，以及对所述第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，在平面视时，所述第三电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度更宽。在上述结构的光检测装置中，位于离光电转换部受光部在电荷的转送路径上较远侧的第三电荷转送路径的宽度比位于较近侧的第二电荷转送路径的宽度更宽。因此，即使与位于第一电荷转送路径中的向第二电荷转送路径的分支点附近正行进的电荷群的电荷分布密度相比，位于第一电荷转送路径中的向第三电荷转送路径的分支点附近正行进的电荷群的电荷密度更宽，也能减低将位于向第三电荷转送路径的分支点附近正行进的电荷群的一部分电荷积蓄至除了第二电荷积蓄部以外的电荷积蓄部的可能性。从而，根据上述结构的光检测装置，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。本公开的一方式所涉及的光检测装置具备：光电转换部，生成电荷；第一电荷转送路径，具有第一端和第二端，所述第一端与所述光电转换部连接，所述第一电荷转送路径在从所述第一端向所述第二端的第一方向上转送来自所述光电转换部的电荷；第二电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第一位置分支；第三电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上与所述第一位置相比离所述光电转换部更远的第二位置分支；第四电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上位于所述第一位置和所述第二位置之间的第三位置分支；第一电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第二电荷转送路径转送的电荷；第二电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第三电荷转送路径转送的电荷；第三电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第四电荷转送路径转送的电荷；第一栅极电极，对所述第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；以及至少一个第二栅极电极，对所述第二电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，对所述第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，以及对所述第四电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，所述第一电荷积蓄部及所述第二电荷积蓄部与读出所积蓄的电荷的读出电路连接，所述第三电荷积蓄部不与读出所积蓄的电荷的读出电路连接。在上述结构的光检测装置中，在第一电荷转送路径中，即使位于向第二电荷转送路径的分支点附近正行进的第一电荷群的一部分与位于向第三电荷转送路径的分支点附近正行进的第二电荷群的一部分在向第四电荷转送路径的分支点路径附近混合，在第四电荷转送路径的分支点附近混合的电荷群的一部分电荷也不会被读出。相对于此，位于向第二电荷转送路径的分支点附近正行进的第一电荷群的一部分作为在第一电荷积蓄部中积蓄的电荷而被读出，位于向第三电荷转送路径的分支点附近正行进的第二电荷群的一部分作为在第二电荷积蓄部中积蓄的电荷而被读出。从而，根据上述结构的光检测装置，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。此外，例如也可以设为所述第四电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度及所述第三电荷转送路径的宽度更窄。由此，能够进一步提高成为读出对象的电荷的比例。因此，能进一步提高检测光入射的定时中的时间分辨率。本公开的一方式所涉及的光检测装置具备：光电转换部，生成电荷；第一电荷转送路径，具有第一端和第二端，所述第一端与所述光电转换部连接，所述第一电荷转送路径在从所述第一端向所述第二端的第一方向上转送来自所述光电转换部的电荷；第二电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第一位置分支；第三电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上与所述第一位置相比离所述光电转换部更远的第二位置分支；第四电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上位于所述第一位置和所述第二位置之间的第三位置分支；第一电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第二电荷转送路径转送的电荷；第二电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第三电荷转送路径转送的电荷；第三电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第四电荷转送路径转送的电荷；第一栅极电极，对所述第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；至少一个第二栅极电极，对所述第二电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，对所述第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，以及对所述第四电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；读出电路，与所述第一电荷积蓄部、所述第二电荷积蓄部及所述第三电荷积蓄部中的各个电荷积蓄部连接，读出所积蓄的电荷；以及信号处理部，与所述读出电路连接，所述信号处理部利用从所述第一电荷积蓄部及所述第二电荷积蓄部读出的电荷的电荷量而不利用从所述第三电荷积蓄部读出的电荷的电荷量地进行信号处理。在上述结构的光检测装置中，在第一电荷群和第二电荷群正在第一电荷转送路径中行进的情况下，即使第一电荷群的一部分和第二电荷群的一部分混合的区域的电荷被读出，也能够不利用与该混合的区域的电荷对应的信号地进行信号处理。从而，根据上述结构的光检测装置，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。本公开的一方式所涉及的摄像装置具备阵列状地配置由上述光检测装置构成的多个像素的像素阵列。上述结构的摄像装置具备的多个像素由能提高检测光入射的定时中的时间分辨率的光检测装置构成。从而，根据上述结构的摄像装置，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。本公开的一方式的概要如以下那样。[项目1]一种光检测装置，具备：光电转换部，生成电荷；第一电荷转送路径，具有第一端和第二端，所述第一端与所述光电转换部连接，所述第一电荷转送路径在从所述第一端向所述第二端的第一方向上转送来自所述光电转换部的电荷；第二电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第一位置分支；第三电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第二位置分支，在所述第一方向上所述第二位置离所述光电转换部比所述第一位置离所述光电转换部更远；第一电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第二电荷转送路径转送的电荷；第二电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第三电荷转送路径转送的电荷；第一栅极电极，对所述第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；以及至少一个第二栅极电极，对所述第二电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，以及对所述第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，在平面视时，所述第三电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度更宽。[项目2]如项目1所述的光检测装置，还具备：第四电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上位于所述第一位置和所述第二位置之间的第三位置分支；以及第三电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第四电荷转送路径转送的电荷，所述至少一个第二栅极电极对所述第四电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，所述第一电荷积蓄部及所述第二电荷积蓄部与读出所积蓄的电荷的读出电路连接，所述第三电荷积蓄部不与读出所积蓄的电荷的读出电路连接。[项目3]如项目2所述的光检测装置，在平面视时，所述第四电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度及所述第三电荷转送路径的宽度更窄。[项目4]如项目1所述的光检测装置，还具备：第四电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上位于所述第一位置和所述第二位置之间的第三位置分支；第三电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第四电荷转送路径转送的电荷；读出电路，与所述第一电荷积蓄部、所述第二电荷积蓄部及所述第三电荷积蓄部中的各个电荷积蓄部连接，读出所积蓄的电荷；以及信号处理部，与所述读出电路连接，所述至少一个第二栅极电极对所述第四电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，所述信号处理部利用从所述第一电荷积蓄部及所述第二电荷积蓄部读出的电荷的电荷量，而不利用从所述第三电荷积蓄部读出的电荷的电荷量地进行信号处理。[项目5]如项目1至4的任一项所述的光检测装置，还具备：电荷扫掠部，与所述第一电荷转送路径的所述第二端连接。[项目6]一种摄像装置，具备：像素阵列，阵列状地配置由项目1至5的任一项所述的光检测装置构成的多个像素。以下，参照附图说明本公开的一方式所涉及的光检测装置及摄像装置的具体例。在此所示的实施方式都表示本公开的一具体例。从而，以下的实施方式所示的数值、形状、结构要素、结构要素的配置及连接方式、以及步骤工序及步骤的顺序等是一例，并非限定本公开。关于以下的实施方式中的结构要素之中在独立权利要求中未记载的结构要素，是可任意地附加的结构要素。此外，各图是示意图，并非必须严格地被图示。实施方式一以下，参照附图说明实施方式一所涉及的摄像装置。该摄像装置具备阵列状地配置由实施方式一所涉及的光检测装置构成的多个像素的像素阵列。[1-1.结构]在此首先说明实施方式一所涉及的光检测装置。图1是实施方式一所涉及的光检测装置10的平面图。图2是实施方式一所涉及的光检测装置10在图1所示的X1-X2线上的截面图。图3是实施方式一所涉及的光检测装置10在图1所示的Y1-Y2线上的截面图。如图1、图2、图3所示，光检测装置10包含第一栅极电极11、第二栅极电极12、光电转换部13、电荷扫掠部14、注入区域15、第一电荷积蓄部21、第二电荷积蓄部22、第三电荷积蓄部23、第四电荷积蓄部24和第五电荷积蓄部25而构成。如图1所示，第五电荷积蓄部25的宽度比第四电荷积蓄部24的宽度更宽，第四电荷积蓄部24的宽度比第三电荷积蓄部23的宽度更宽，第三电荷积蓄部23的宽度比第二电荷积蓄部22的宽度更宽，第二电荷积蓄部22的宽度比第一电荷积蓄部21的宽度更宽。另外，图1、图2、图3只是用于说明的示意性的图，附图中的各部的尺寸不必须反映现实的尺寸。关于其他附图也同样，有时附图中所示的要素的尺寸和该要素的现实的尺寸不一致。光电转换部13包含能够接受所入射的光而生成电荷的光电转换元件。在此，作为光电转换元件而例示光电二极管。如图2及图3所示，在该例中，光电转换部13、电荷扫掠部14、注入区域15、第一电荷积蓄部21、第二电荷积蓄部22、第三电荷积蓄部23、第四电荷积蓄部24及第五电荷积蓄部25被形成在硅Si基板等半导体基板2内。半导体基板2不限定于其整体为半导体的基板，也可以是在形成感光区域一侧的表面设置了半导体层的绝缘性基板等。以下，作为半导体基板2而例示p型硅基板。在该例中，通过在p型硅基板中形成杂质区域在此为N型区域，形成有光电转换部13。此外，通过在p型硅基板中形成与光电转换部13等同、或者高浓度的杂质区域在此为N型区域，形成有注入区域15。并且，通过在p型硅基板中形成与注入区域15相比更高的浓度的杂质区域在此为N型区域，形成第一电荷积蓄部21、第二电荷积蓄部22、第三电荷积蓄部23、第四电荷积蓄部24及第五电荷积蓄部25。如图1所示，第五电荷积蓄部25的宽度比第四电荷积蓄部24的宽度更宽，第四电荷积蓄部24的宽度比第三电荷积蓄部23的宽度更宽，第三电荷积蓄部23的宽度比第二电荷积蓄部22的宽度更宽，第二电荷积蓄部22的宽度比第一电荷积蓄部21的宽度更宽。此外，如图1所示，注入区域15由长条状的主部30、第一指部31、第二指部32、第三指部33、第四指部34和第五指部35构成。主部30的一端与光电转换部13连接，另一端与电荷扫掠部14连接。第一指部31从主部30分支而与第一电荷积蓄部21连接。第二指部32从主部30分支而与第二电荷积蓄部22连接。第三指部33从主部30分支而与第三电荷积蓄部23连接。第四指部34从主部30分支而与第四电荷积蓄部24连接。第五指部35从主部30分支而与第五电荷积蓄部25连接。如图1所示，第五指部35的宽度与第五电荷积蓄部25的宽度相等。第四指部34的宽度与第四电荷积蓄部24的宽度相等。第三指部33的宽度与第三电荷积蓄部23的宽度相等。第二指部32的宽度与第二电荷积蓄部22的宽度相等。第一指部31的宽度与第一电荷积蓄部21的宽度相等。即，第五指部35的宽度比第四指部34的宽度更宽。第四指部34的宽度比第三指部33的宽度更宽。第三指部33的宽度比第二指部32的宽度更宽。第二指部32的宽度比第一指部31的宽度更宽。此外，第五指部35与第四指部34相比，在离光电转换部13更远的位置上从主部30分支。第四指部34与第三指部33相比，在离光电转换部13更远的位置上从主部30分支。第三指部33与第二指部32相比，在离光电转换部13更远的位置上从主部30分支。第二指部32与第一指部31相比，在离光电转换部13更远的位置上从主部30分支。如图1～图3所示，第一栅极电极11与主部30的上方重叠而配置。并且，第二栅极电极12跨越第一指部31～第五指部35，与它们的上方重叠而配置。在此，将由第二栅极电极12和第一指部31形成的晶体管称为TG1。将第二栅极电极12和第二指部32形成的晶体管称为TG2。将由第二栅极电极12和第三指部33形成的晶体管称为TG3。将由第二栅极电极12和第四指部34形成的晶体管称为TG4。将由第二栅极电极12和第五指部35形成的晶体管称为TG5。注入区域15由于位于其上部的栅极电极在此，例如为第一栅极电极11或第二栅极电极12被施加规定电位，而在其表面部分形成反转层。该反转层作为将由光电转换部13生成的电荷向电荷扫掠部14、第一电荷积蓄部21、第二电荷积蓄部22、第三电荷积蓄部23、第四电荷积蓄部24或第五电荷积蓄部25中的某一个转送的电荷转送路径而发挥作用。图4是示意性地图示在向第一栅极电极11施加第一规定电位，且向第二栅极电极12施加第二规定电位的情况下形成的电荷转送路径的示意图。在此，第一规定电位是用于在位于第一栅极电极11之下的注入区域15的表面形成反转层的电位。此外，第二规定电位是用于在位于第二栅极电极12之下的注入区域15的表面形成反转层的电位。如图4所示，在注入区域15的表面上形成的电荷转送路径由第一电荷转送路径41、第二电荷转送路径42、第三电荷转送路径43、第四电荷转送路径44、第五电荷转送路径45和第六电荷转送路径46构成。在此，第一电荷转送路径41的宽度与主部30的宽度大致相等。第六电荷转送路径46的宽度与第五指部35的宽度大致相等。第五电荷转送路径45的宽度与第四指部34的宽度大致相等。第四电荷转送路径44的宽度与第三指部33的宽度大致相等。第三电荷转送路径43的宽度与第二指部32的宽度大致相等。第二电荷转送路径42的宽度与第一指部31的宽度大致相等。在此，“大致相等”意味着例如宽度之差为20％以内。因此，第六电荷转送路径46的宽度比第五电荷转送路径45的宽度更宽。第五电荷转送路径45的宽度比第四电荷转送路径44的宽度更宽。第四电荷转送路径44的宽度比第三电荷转送路径43的宽度更宽。第三电荷转送路径43的宽度比第二电荷转送路径42的宽度更宽。第二电荷转送路径42的宽度比第一电荷转送路径41的宽度更宽。此外，第六电荷转送路径46与第五电荷转送路径45相比，在离光电转换部13更远的位置上从第一电荷转送路径41分支。第五电荷转送路径45与第四电荷转送路径44相比，在离光电转换部13更远的位置上从第一电荷转送路径41分支。第四电荷转送路径44与第三电荷转送路径43相比，在离光电转换部13更远的位置上从第一电荷转送路径41分支。第三电荷转送路径43与第二电荷转送路径42相比，在离光电转换部13更远的位置上从第一电荷转送路径41分支。通过将电荷扫掠部14的电位设为比光电转换部13的电位更低的规定的电位，第一电荷转送路径41将由光电转换部13产生的电荷转送至电荷扫掠部14。图5是表示在图4所示的A1-A2线的截面中，第一电荷转送路径41转送电荷的情形的示意图。实线所示的是图4所示的A1-A2线的截面中的电势。如同图所示，通过将电荷扫掠部14的电位设为比光电转换部13的电位更低的规定的电位，第一电荷转送路径41内的电势从光电转换部13侧向电荷扫掠部14侧倾斜。由此，第一电荷转送路径41将由光电转换部13产生的电荷转送至电荷扫掠部14。图6是表示在图4所示的B1-B2线的截面中，第二电荷转送路径42转送电荷的情形的示意图。实线所示的是图4所示的B1-B2线的截面中的晶体管TG1截止时的电势。虚线所示的是图4所示的B1-B2线的截面中的晶体管TG1导通时的电势。如同图所示，通过将第一电荷积蓄部21的电位设为比第一电荷转送路径41中的向第二电荷转送路径42的分支点的电位更低的规定的电位，从而第二电荷转送路径42内的电势如图6中的虚线所示，从第一电荷转送路径41侧向第一电荷积蓄部21侧倾斜。因此，第二电荷转送路径42将在第一电荷转送路径41中正转送的电荷群的一部分电荷，转送至第一电荷积蓄部21。另一方面，在TG1截止的情况下，没有形成第二电荷转送路径42。在该情况下，第一电荷转送路径41中的向第二电荷转送路径42的分支点和第一电荷积蓄部21之间的电势如图6中的实线所示。因此，在该情况下，在第一电荷转送路径41中正行进的电荷不会被转送至第一电荷积蓄部21。同样，通过将第二电荷积蓄部22～第五电荷积蓄部25的电位分别设为比第一电荷转送路径41中的向第三电荷转送路径43～第六电荷转送路径46的分支点的电位更低的规定的电位，从而第三电荷转送路径43～第六电荷转送路径46分别将在第一电荷转送路径41中正转送的电荷群的一部分电荷，转送至第二电荷积蓄部22～第五电荷积蓄部25。作为一例，图7是表示在图4所示的C1-C2线的截面中，第六电荷转送路径46转送电荷的情形的示意图。实线所示的是图4所示的C1-C2线的截面中的晶体管TG5截止时的电势。虚线所示的是图4所示的C1-C2线的截面中的晶体管TG5导通时的电势。其中，例如，如将图6和图7比较而理解的那样，第一电荷转送路径41中的向其他各电荷转送路径的分支点中的电位从向第二电荷转送路径42的分支点侧至向第六电荷转送路径46的分支点侧依次变低。因此，第二电荷转送路径42至第六电荷转送路径46各自中的每单位宽度的电荷转送量从第二电荷转送路径42至第六电荷转送路径46依次变少。换言之，TG1～TG5中的每单位栅极宽度的电流驱动能力按TG1～TG5依次降低。图8示出如下特性图，该特性图表示关于TG1～TG5中的各个晶体管，将第一电荷转送路径41侧设为源极，将第一电荷积蓄部21～第五电荷积蓄部25侧设为漏极的情况下的各晶体管TG1～TG5的每单位栅极宽度的电流-电压特性。第一电荷积蓄部21积蓄经由第二电荷转送路径42转送的电荷。第二电荷积蓄部22积蓄经由第三电荷转送路径43转送的电荷。第三电荷积蓄部23积蓄经由第四电荷转送路径44转送的电荷。第四电荷积蓄部24积蓄经由第五电荷转送路径45转送的电荷。第五电荷积蓄部25积蓄经由第六电荷转送路径46转送的电荷。如图1所示，第一电荷积蓄部21～第五电荷积蓄部25各自经由源极跟随器晶体管60a～源极跟随器晶体管60e，与读出所积蓄的电荷的读出电路70a～读出电路70e连接。第一栅极电极11和第二栅极电极12例如由通过被注入杂质而赋予导电性的多晶硅形成。第一栅极电极11通过切换施加电压，从而能够切换是否在位于第一栅极电极11之下的注入区域15的表面形成反转层。即，第一栅极电极11通过切换施加电压，从而对经由第一电荷转送路径41的电荷的转送及阻断进行切换。同样，第二栅极电极12通过切换施加电压，从而能够切换是否在位于第二栅极电极12之下的注入区域15的表面形成反转层。即，第二栅极电极12通过切换施加电压，从而能够对经由第二电荷转送路径42的电荷的转送及阻断进行切换，对经由第三电荷转送路径43的电荷的转送及阻断进行切换，对经由第四电荷转送路径44的电荷的转送及阻断进行切换，以及对经由第五电荷转送路径45的电荷的转送及阻断进行切换。接着，说明包含上述结构的光检测装置10而构成的实施方式一所涉及的摄像装置。图9是表示实施方式一所涉及的摄像装置1的结构的框图。如同图所示，摄像装置1具备像素阵列50、垂直扫描电路51、读出电路52和信号处理部53。阵列状例如为矩阵状地配置多个由光检测装置10构成的像素而构成像素阵列50。在各光检测装置10中，第一电荷积蓄部21～第五电荷积蓄部25各自经由源极跟随器晶体管60a～源极跟随器晶体管60e以及读出线61a～读出线61e与读出电路52连接。即，图1中的读出电路70a～读出电路70e分别对应于图9中的读出电路52。在此，读出线61a～读出线61e成为以列为单位而公共的信号线。此外，各光检测装置10经由以行为单位而公共的多个控制信号线未图示与垂直扫描电路51连接。垂直扫描电路51对像素阵列50，经由以行为单位而公共的多个控制信号线未图示，以行为单位而控制各光检测装置10的动作。垂直扫描电路51以规定周期反复进行从像素阵列50的最上位侧的行向最下位侧的行依次基于行单位对光检测装置10的控制。读出电路52与垂直扫描电路51同步地进行动作，从像素阵列50，以由垂直扫描电路51控制的行为单位，读出与位于该行的各光检测装置10中的第一电荷积蓄部21～第五电荷积蓄部25中积蓄的电荷的量相应的信号。并且，将所读出的信号输出至信号处理部53。信号处理部53对从读出电路52输出的信号进行各种信号处理。作为一例，信号处理部53既可以包含处理器和存储器而构成，通过处理器执行存储器中存储的程序来实现，也可以通过专用硬件来实现。[1-2.考察]以下，考察光检测装置10。图10是表示光检测装置10中的在第一电荷转送路径41中正行进的电荷群的分布的示意图。如同图所示，关于在第一电荷转送路径41中正行进的电荷群，其行进距离越长、即行进至离光电转换部13越远，则其电荷密度的分布越宽。另一方面，如上述那样，关于从第一电荷转送路径41分支的第二电荷转送路径42～第六电荷转送路径46，分支的位置离光电转换部13越远，则电荷转送路径的宽度变得越宽。因此，例如设为：与位于向从第一电荷转送路径41分支的位置为离光电转换部13比较近的位置的电荷转送路径在此，例如为第二电荷转送路径42的分支点附近正行进的电荷群的电荷分布密度相比，位于向离光电转换部13比较远的位置的电荷转送路径在此，例如为第六电荷转送路径46。以下也称为“远方电荷转送路径”的分支点附近正行进的电荷群的电荷分布密度更宽。但是即使在该情况下，也能够减低将位于向该远方电荷转送路径的分支点附近正行进的电荷群的一部分电荷积蓄至除了对应的电荷积蓄部在此，例如为第五电荷积蓄部25以外的电荷积蓄部的可能性。从而，根据光检测装置10，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。此外，如上述那样，如图8所示，TG1～TG5离光电转换部13越远，则每单位栅极宽度的电流驱动能力越降低。另一方面，如图1所示，TG1～TG5离光电转换部13越远，则栅极宽度变得越宽。因此，离光电转换部13比较远的位置的晶体管在此，例如为TG5与离光电转换部13比较近的位置的晶体管在此，例如为TG1相比，尽管每单位栅极宽度的电流驱动能力降低，但栅极宽度变宽，从而抑制了作为晶体管的电流驱动能力的降低。由此，在光检测装置10中，即使是离光电转换部13比较远的位置的晶体管在此，例如为TG5，也能缩短为了将读出所需的电荷积蓄至对应的电荷积蓄部在此，例如为第五电荷积蓄部25而需要使该晶体管导通的期间。从而，根据光检测装置10，能缩短读出电荷的读出周期。实施方式二在此，说明从实施方式一所涉及的摄像装置1变更了其结构的一部分而成的实施方式二所涉及的摄像装置。在实施方式一中，构成摄像装置1的光检测装置10是在各电荷积蓄部第一电荷积蓄部21～第五电荷积蓄部25上分别连接读出电路的结构。相对于此，在实施方式二中，构成实施方式二所涉及的摄像装置的光检测装置成为在一部分电荷积蓄部上连接读出电路，而在另一部分电荷积蓄部上不连接读出电路的结构。[2-1.结构]以下，参照附图，以与实施方式一所涉及的摄像装置1的不同点为中心，说明实施方式二所涉及的摄像装置。图11是实施方式二所涉及的光检测装置10a的平面图。如同图所示，光检测装置10a相对于实施方式一所涉及的光检测装置10，注入区域15被变更为注入区域15a。此外，第一电荷积蓄部21被变更为第一电荷积蓄部21a。此外，第二电荷积蓄部22被变更为第二电荷积蓄部22a。此外，第三电荷积蓄部23被变更为第三电荷积蓄部23a。此外，第四电荷积蓄部24被变更为第四电荷积蓄部24a。此外，第五电荷积蓄部25被变更为第五电荷积蓄部25a。并且，第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a、第五电荷积蓄部25a分别与读出电路70a、读出电路70c、读出电路70e连接。另一方面，被变更为第二电荷积蓄部22a和第四电荷积蓄部24a不与读出电路连接。即，光检测装置10a成为与读出电路连接的电荷积蓄部在此，例如为第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a、第五电荷积蓄部25a、和不与读出电路连接的电荷积蓄部在此为第二电荷积蓄部22a、第四电荷积蓄部24a从光电转换部13侧依次被交替配置的结构。此外，如图11所示，第一电荷积蓄部21a的宽度、第二电荷积蓄部22a的宽度、第三电荷积蓄部23a的宽度、第四电荷积蓄部24a的宽度以及第五电荷积蓄部25a的宽度相等。注入区域15a相对于实施方式一所涉及的注入区域15，主部30被变更为主部30a。此外，第一指部31被变更为第一指部31a。此外，第二指部32被变更为第二指部32a。此外，第三指部33被变更为第三指部33a。此外，第四指部34被变更为第四指部34a。此外，第五指部35被变更为第五指部35a。如上所述，第一电荷积蓄部21a的宽度、第二电荷积蓄部22a的宽度、第三电荷积蓄部23a的宽度、第四电荷积蓄部24a的宽度以及第五电荷积蓄部25a的宽度相等。据此，如图11所示，第一指部31a的宽度、第二指部32a的宽度、第三指部33a的宽度、第四指部34a的宽度以及第五指部35a的宽度相等。图12是示意性地图示在向第一栅极电极11施加第一规定电位且向第二栅极电极12施加第二规定电位的情况下形成的电荷转送路径的示意图。在此，第一规定电位是用于在位于第一栅极电极11之下的注入区域15a的表面形成反转层的电位，第二规定电位是用于在位于第二栅极电极12之下的注入区域15a的表面形成反转层的电位。如图12所示，在注入区域15a的表面上形成的电荷转送路径相对于实施方式一所涉及的电荷转送路径，第二电荷转送路径42被变更为第二电荷转送路径42a。此外，第三电荷转送路径43被变更为第三电荷转送路径43a。此外，第四电荷转送路径44被变更为第四电荷转送路径44a。此外，第五电荷转送路径45被变更为第五电荷转送路径45a。此外，形成为第六电荷转送路径46被变更为第六电荷转送路径46a。在此，第二电荷转送路径42a的宽度与第一指部31a的宽度大致相等。此外，第三电荷转送路径43a的宽度与第二指部32a的宽度大致相等。此外，第四电荷转送路径44a的宽度与第三指部33a的宽度大致相等。此外，第五电荷转送路径45a的宽度与第四指部34a的宽度大致相等。此外，第六电荷转送路径46a的宽度与第五指部35a的宽度大致相等。因此，第二电荷转送路径42a的宽度、第三电荷转送路径43a的宽度、第四电荷转送路径44a的宽度、第五电荷转送路径45a的宽度以及第六电荷转送路径46a的宽度相等。图13是表示实施方式二所涉及的摄像装置1a的结构的框图。如同图所示，摄像装置1a相对于实施方式一所涉及的摄像装置1，像素阵列50被变更为像素阵列50a，读出电路52被变更为读出电路52a。像素阵列50a相对于实施方式一所涉及的像素阵列50，阵列状在此为矩阵状地被配置的各像素从实施方式一所涉及的光检测装置10被变更为光检测装置10a。并且，被变更为在与各光检测装置10对应的源极跟随器晶体管60a～源极跟随器晶体管60e之中源极跟随器晶体管60b和源极跟随器晶体管60d被删除，在与各光检测装置10对应的读出线61a～读出线61e之中读出线61b和读出线61d被删除。读出电路52a相对于实施方式一所涉及的读出电路52，在各光检测装置10a中，作为读出电荷的对象的电荷积蓄部被变更为第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a和第五电荷积蓄部25a这三个。[2-2.考察]以下，考察光检测装置10a。图14是表示在光检测装置10a中的在第一电荷转送路径41中正行进的电荷群的分布的示意图。如同图所示，在第一电荷转送路径41中正行进的各电荷群在电荷分布上具有扩散。因此，在第一电荷转送路径41中第一电荷群和第二电荷群正在行进的情况下，有时第一电荷群的一部分与第二电荷群的一部分混合。在光检测装置10a中，在第一电荷转送路径41中，即使位于向第二电荷转送路径42a的分支点附近正行进的第一电荷群的一部分与位于向第四电荷转送路径44a的分支点附近正行进的第二电荷群的一部分在向第三电荷转送路径43a的分支点路径附近混合，在第三电荷转送路径43a的分支点附近混合的电荷群的一部分电荷也不会被读出。相对于此，位于向第二电荷转送路径42a的分支点附近正行进的第一电荷群的一部分作为在第一电荷积蓄部21a中积蓄的电荷而被读出，位于向第四电荷转送路径44a的分支点附近正行进的第二电荷群的一部分作为在第三电荷积蓄部23a中积蓄的电荷而被读出。即使将第二电荷转送路径42a替换为第四电荷转送路径44a，将第四电荷转送路径44a替换为第六电荷转送路径46a，将第三电荷转送路径43a替换为第五电荷转送路径45a，将第一电荷积蓄部21a替换为第三电荷积蓄部23a，将第三电荷积蓄部23a替换为第五电荷积蓄部25a也是同样的。从而，根据光检测装置10a，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。此外，如上述那样，在与读出电路连接的电荷积蓄部在此，例如为第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a、第五电荷积蓄部25a间，配置有不与读出电路连接的电荷积蓄部在此为第二电荷积蓄部22a、第四电荷积蓄部24a。由此，在用于读出的电荷间，产生电荷的时间差变大。但是，能够抑制在各电荷群之间电荷的混合，所以能提高电荷群的分离性能。从而，根据光检测装置10a，能提高检测光入射的定时中的时间分辨率。实施方式三在此，说明从实施方式二所涉及的摄像装置1a变更了其结构的一部分而成的实施方式三所涉及的摄像装置。在实施方式三中，构成实施方式三所涉及的摄像装置的光检测装置相对于构成实施方式二所涉及的摄像装置1a的光检测装置10a变更为如下构成：不与读出电路连接的电荷积蓄部的宽度及与该电荷积蓄部连接的电荷转送路径的宽度，比与读出电路连接的电荷积蓄部的宽度及与该电荷积蓄部连接的电荷转送路径的宽度更窄。[3-1.结构]以下参照附图，以与实施方式二所涉及的摄像装置1a的不同点为中心，说明实施方式三所涉及的摄像装置。图15是实施方式三所涉及的光检测装置10b的平面图。如同图所示，光检测装置10b相对于实施方式二所涉及的光检测装置10a，注入区域15a被变更为注入区域15b，第二电荷积蓄部22a被变更为第二电荷积蓄部22b，第四电荷积蓄部24a被变更为第四电荷积蓄部24b。第二电荷积蓄部22b相对于实施方式二所涉及的第二电荷积蓄部22a，被变更为其宽度变窄。第四电荷积蓄部24b相对于实施方式二所涉及的第四电荷积蓄部24a，被变更为其宽度变窄，且与第二电荷积蓄部22b的宽度相等。其结果是，如图15所示，第二电荷积蓄部22b的宽度和第四电荷积蓄部24b的宽度相等，进而，第二电荷积蓄部22b的宽度和第四电荷积蓄部24b的宽度比第一电荷积蓄部21a的宽度、第三电荷积蓄部23a的宽度、第五电荷积蓄部25a的宽度更窄。注入区域15b相对于实施方式二所涉及的注入区域15a，第二指部32a被变更为第二指部32b，第四指部34a被变更为第四指部34b。如上所述，第二电荷积蓄部22b的宽度和第四电荷积蓄部24b的宽度相等，进而，第二电荷积蓄部22b的宽度和第四电荷积蓄部24b的宽度比第一电荷积蓄部21a的宽度、第三电荷积蓄部23a的宽度、第五电荷积蓄部25a的宽度更窄。据此，如图15所示，第二指部32b的宽度和第四指部34b的宽度相等，进而，第二指部32b的宽度和第四指部34b的宽度比第一指部31a的宽度、第三指部33a的宽度、第五指部35a的宽度更窄。图16是示意性地图示在向第一栅极电极11施加第一规定电位，且向第二栅极电极12施加第二规定电位的情况下形成的电荷转送路径的示意图。在此，第一规定电位是用于在位于第一栅极电极11之下的注入区域15b的表面形成反转层的电位，第二规定电位是用于在位于第二栅极电极12之下的注入区域15b的表面形成反转层的电位。如图16所示，在注入区域15b的表面上形成的电荷转送路径相对于实施方式二所涉及的电荷转送路径，第三电荷转送路径43a被变更为第三电荷转送路径43b，第五电荷转送路径45a被变更为第五电荷转送路径45b。在此，第三电荷转送路径43b的宽度与第二指部32b的宽度大致相等，第五电荷转送路径45b的宽度与第四指部34b的宽度大致相等。因此，如图16所示，第三电荷转送路径43b的宽度和第五电荷转送路径45b的宽度相等。进而，第三电荷转送路径43b的宽度和第五电荷转送路径45b的宽度比第二电荷转送路径42a的宽度、第四电荷转送路径44a的宽度、第六电荷转送路径46a的宽度更窄。图17是表示实施方式三所涉及的摄像装置1b的结构的框图。如同图所示，摄像装置1b相对于实施方式二所涉及的摄像装置1a，像素阵列50a被变更为像素阵列50b。像素阵列50b相对于实施方式二所涉及的像素阵列50a，阵列状在此为矩阵状地被配置的各像素相对于实施方式二所涉及的光检测装置10a被变更为光检测装置10b。[3-2.考察]以下，考察光检测装置10b。如上所述，关于光检测装置10b，不与读出电路连接的电荷积蓄部的宽度及与该电荷积蓄部连接的电荷转送路径的宽度，比与读出电路连接的电荷积蓄部的宽度及与该电荷积蓄部连接的电荷转送路径的宽度更窄。由此，能够进一步提高成为读出对象的电荷的比例。从而，根据光检测装置10b，能进一步提高检测光入射的定时中的时间分辨率。实施方式四在此，说明相对于实施方式二所涉及的摄像装置1a变更了其结构的一部分而成的实施方式四所涉及的摄像装置。在实施方式四中，实施方式四所涉及的摄像装置的各光检测装置10a中的五个电荷积蓄部与读出电路52连接。并且，其另一方面，实施方式四所涉及的摄像装置构成为，在使用与所读出的电荷对应的信号进行的信号处理中，以利用与从第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a和第五电荷积蓄部25a读出的电荷对应的信号，而不利用与从第二电荷积蓄部22b和第四电荷积蓄部24b读出的电荷对应的信号的方式，选择在信号处理中利用的信号而进行信号处理。[4-1.结构]以下，参照附图，以与实施方式二所涉及的摄像装置1a的不同点为中心，说明实施方式四所涉及的摄像装置。图18是表示实施方式四所涉及的摄像装置1c的结构的框图。如同图所示，摄像装置1c相对于实施方式二所涉及的摄像装置1a，像素阵列50a被变更为像素阵列50c，读出电路52a被变更为实施方式一所涉及的读出电路52，信号处理部53被变更为信号处理部53c。像素阵列50c相对于实施方式二所涉及的像素阵列50a，变更为以各光检测装置10a中的第二电荷积蓄部22a和第四电荷积蓄部24a分别与读出电路52连接的方式，追加源极跟随器晶体管60b、源极跟随器晶体管60d、读出线61b和读出线61d。信号处理部53c相对于实施方式二所涉及的信号处理部53，变更为在与从读出电路52读出的电荷对应的信号之中，选择在信号处理中利用的信号而进行信号处理。在此，信号处理部53c以利用与从读出电路52读出的电荷量之中的从第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a和第五电荷积蓄部25a读出的电荷对应的信号，而不利用与从第二电荷积蓄部22a和第四电荷积蓄部24a读出的电荷对应的信号的方式，选择在信号处理中利用的信号。即，信号处理部53c利用与从多个电荷积蓄部在此为第一电荷积蓄部21a～第五电荷积蓄部25a之中的除了至少一部分电荷积蓄部在此为第二电荷积蓄部22a、第四电荷积蓄部24a外的其他电荷积蓄部在此为第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a、第五电荷积蓄部25a读出的电荷对应的信号进行信号处理。[4-2.考察]以下，考察摄像装置1c。如上述那样，在摄像装置1c中，与实施方式二所涉及的摄像装置1a同样，在各光检测装置10a之中，利用与从第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a和第五电荷积蓄部25a读出的电荷对应的信号，不利用与从第二电荷积蓄部22a和第四电荷积蓄部24a读出的电荷对应的信号，进行信号处理。由此，摄像装置1c能够进行与实施方式二所涉及的摄像装置1a同样的信号处理。从而，摄像装置1c具有与实施方式二所涉及的摄像装置1a同样的效果。补充以上那样，作为在本申请中公开的技术的例示，说明了实施方式一～实施方式四。但是，本公开的技术不限定于此，只要不脱离本公开的宗旨，就能够应用于适当进行了变更、置换、附加、省略等而成的实施方式。以下，列举本公开中的变形例的一例。1在实施方式一中，说明了光检测装置10所具备的电荷积蓄部的数量为五个。但是，只要光检测装置10具备的电荷积蓄部的数量为两个以上即可，不必须限定于为五个的例子。2在实施方式一中，说明了光检测装置10所具备的第二栅极电极12的数量为一个构造体。但是，第二栅极电极12不需要必须为一个构造体，也可以被分割为多个而构成。也就是说，第二栅极电极12通过切换施加电压，能够实现对经由第二电荷转送路径42的电荷的转送及阻断进行切换，对经由第三电荷转送路径43的电荷的转送及阻断进行切换，对经由第四电荷转送路径44的电荷的转送及阻断进行切换，对经由第五电荷转送路径45的电荷的转送及阻断进行切换即可。3在实施方式二中，说明了光检测装置10a的第一电荷积蓄部21a～第五电荷积蓄部25a宽度相等，第一指部31a～第五指部35a的宽度相等。但是，光检测装置10a不需要必须限于上述结构。作为一例，光检测装置10a也可以考虑与实施方式一所涉及的光检测装置10同样，构成为第一电荷积蓄部21a～第五电荷积蓄部25a的宽度离光电转换部13越远则变得越宽，第一指部31a～第五指部35a的宽度离光电转换部13越远则变得越宽的例子等。4在实施方式四中，说明了信号处理部53c在信号处理中利用的信号以如下方式进行选择：在与从读出电路52读出的电荷对应的信号之中，利用与从第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a和第五电荷积蓄部25a读出的电荷对应的信号，而不利用与从第二电荷积蓄部22a和第四电荷积蓄部24a读出的电荷对应的信号。但是，选择利用与从哪个电荷积蓄部读出的电荷对应的信号，而不利用与从哪个电荷积蓄部读出的电荷对应的信号，不限定于上述选择的例子，也可以是任意选择。作为另一例，考虑信号处理部53c以利用与从第二电荷积蓄部22a和第四电荷积蓄部24a读出的电荷对应的信号，而不利用与从第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a和第五电荷积蓄部25a读出的电荷对应的信号的方式进行选择的结构的例子等。5在实施方式四中，是读出电路52从第一电荷积蓄部21a～第五电荷积蓄部25a读出电荷而作为信号来输出，信号处理部53c在从读出电路52读出的信号之中选择一部分而进行信号处理的结构。但是，只要能够选择在信号处理中利用的信号即可，不必须限定于由上述结构来实现的例子。作为另一例，考虑读出电路52根据所读出的电荷量，选择要输出的信号量而进行输出，信号处理部53c利用从读出电路52输出的信号而进行信号处理的结构的例子等。更具体而言，例如，读出电路52也可以是以输出与所读出的电荷量之中的从第一电荷积蓄部21a、第三电荷积蓄部23a和第五电荷积蓄部25a读出的电荷的量对应的信号，而不输出与从第二电荷积蓄部22a、第四电荷积蓄部24a读出的电荷的量对应的信号的方式进行选择而输出的结构。6在实施方式一中，作为光电转换元件的例子而例示了光电二极管。但是光电转换元件只要能够接受所入射的光而生成电荷即可，不需要必须限定于光电二极管。作为一例，光电转换元件也可以是层叠光电转换膜而构成的元件。工业实用性本公开所涉及的光检测装置及摄像装置能够广泛地利用于检测所输入的光的装置。

权利要求：1.一种光检测装置，具备：光电转换部，生成电荷；第一电荷转送路径，具有第一端和第二端，所述第一端与所述光电转换部连接，所述第一电荷转送路径在从所述第一端向所述第二端的第一方向上转送来自所述光电转换部的电荷；第二电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第一位置分支；第三电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的第二位置分支，在所述第一方向上所述第二位置离所述光电转换部比所述第一位置离所述光电转换部更远；第一电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第二电荷转送路径转送的电荷；第二电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第三电荷转送路径转送的电荷；第一栅极电极，对所述第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换；以及至少一个第二栅极电极，对所述第二电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，以及对所述第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，在平面视时，所述第三电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度更宽。2.如权利要求1所述的光检测装置，还具备：第四电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上位于所述第一位置和所述第二位置之间的第三位置分支；以及第三电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第四电荷转送路径转送的电荷，所述至少一个第二栅极电极对所述第四电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，所述第一电荷积蓄部及所述第二电荷积蓄部与读出所积蓄的电荷的读出电路连接，所述第三电荷积蓄部不与读出所积蓄的电荷的读出电路连接。3.如权利要求2所述的光检测装置，在平面视时，所述第四电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度及所述第三电荷转送路径的宽度更窄。4.如权利要求1所述的光检测装置，还具备：第四电荷转送路径，从所述第一电荷转送路径的在所述第一方向上位于所述第一位置和所述第二位置之间的第三位置分支；第三电荷积蓄部，积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第四电荷转送路径转送的电荷；读出电路，与所述第一电荷积蓄部、所述第二电荷积蓄部及所述第三电荷积蓄部中的各个电荷积蓄部连接，读出所积蓄的电荷；以及信号处理部，与所述读出电路连接，所述至少一个第二栅极电极对所述第四电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换，所述信号处理部利用从所述第一电荷积蓄部及所述第二电荷积蓄部读出的电荷的电荷量而不利用从所述第三电荷积蓄部读出的电荷的电荷量地进行信号处理。5.如权利要求1所述的光检测装置，还具备：电荷扫掠部，与所述第一电荷转送路径的所述第二端连接。6.一种摄像装置，具备：像素阵列，阵列状地配置由权利要求1所述的光检测装置构成的多个像素。

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