申请/专利权人：桂林百锐光电技术有限公司;山东省科学院新材料研究所

申请日：2022-10-25

公开（公告）日：2023-04-04

公开（公告）号：CN115896917A

主分类号：C30B7/10

分类号：C30B7/10;C30B7/08;C30B29/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开

摘要：本发明公开了一种制备毫米级纯立方相KTN单晶体的方法，步骤为取KTN原料置于黄金衬套管的底部，然后加入矿化剂溶液；将黄金衬套管密封后置于高压釜的釜体中；在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中进行恒温恒压处理；将电阻炉匀速降温，温度降至100℃后再迅速降温至室温，制得毫米级立方相KTN单晶体。本发明制备的毫米级的纯立方相KTN单晶体能够有效提高制备产品的通光质量，还可以降低晶体内部应力，提高晶体的抗光伤性能。本发明制备的晶体热应力小、缺陷少、均匀性和纯度高。

主权项：1.一种制备毫米级纯立方相KTN单晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：1取KTN原料置于黄金衬套管的底部，然后加入矿化剂溶液；2将黄金衬套管密封后置于高压釜的釜体中；3在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中进行恒温恒压处理；4将电阻炉设置降温速率1-10℃h，待电阻炉温度降至100℃后再迅速降温至室温，制得毫米级立方相KTN单晶体。

全文数据：

权利要求：

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