申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2021-12-31

公开（公告）日：2023-04-25

公开（公告）号：CN114211067B

主分类号：B23K1/00

分类号：B23K1/00;B23K1/20;B23K3/04;B23K3/08;B23K35/02;B23K35/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.04.25#授权;2022.04.08#实质审查的生效;2022.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法，属于材料制备与连接技术领域，本发明通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点，关键步骤在于焊球在预制的IMC焊盘进行重熔、冷却，可以改善Sn基钎料焊点中由于Sn的各向异性降低焊点可靠性和使用寿命的情况，通过EBSD技术确定为多晶结构焊点。因此，多晶结构焊点可以有效降低Sn晶粒取向不利的情况；工艺简单，成本低廉，制作出焊点尺寸可控、晶粒取向不同的多晶焊点。

主权项：1.一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法，其特征在于，包括以下步骤：1将Sn-Ag-Bi-In系焊料通过漏网漏印在玻璃板上；2将漏印后的焊料加热重熔形成Sn-Ag-Bi-In系焊球，冷却；3清洗所述Sn-Ag-Bi-In系焊球；4挑选与焊盘尺寸一致的Sn-Ag-Bi-In系焊球备用；5超声条件下清洗印制电路板；6在所述印制电路板上涂覆助焊剂；7将预制的Sn-Ag-Bi-In系焊球放在印制电路板表面的铜片上，加热使焊球重熔，与印制电路板上的铜片结合，冷却；8使用硝酸-乙醇-水溶液对步骤7焊后的凸点结构进行腐蚀，保证腐蚀完所有Sn，保留Cu-Sn界面处的IMCs，所述步骤8硝酸-乙醇-水溶液中三者的体积比依次为1：1：8；9在8中完成的印制电路板铜片上仅剩IMC的焊盘表面涂覆助焊剂；10将步骤4的Sn-Ag-Bi-In系焊球放在IMC焊盘上，加热使焊球重熔并与IMC焊盘结合，冷却；11将10中完成的凸点结构倒置于已涂覆助焊剂的印制电路板平行且完全对齐放置；12将11中完成的结构加热，使焊球重熔并保证与IMC焊盘和印制电路板重熔结合，冷却；13研磨焊点至中间最大截面，并进行精抛，最终获得多晶结构焊点；所述步骤7、10和12中的重熔，温度范围为200℃～300℃。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一种通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点的方法

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