申请/专利权人：上海功成半导体科技有限公司

申请日：2022-09-19

公开（公告）日：2023-05-05

公开（公告）号：CN115483105B

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/739;H01L27/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.05#授权;2023.01.03#实质审查的生效;2022.12.16#公开

摘要：本发明提供一种并联FRD的双芯片IGBT结构及制作方法，该方法包括：提供第一导电类型衬底，衬底包括IGBT形成区域和FRD形成区域；于FRD形成区域的衬底中形成第二导电类型掺杂的FRD极区；于IGBT形成区域的衬底中形成栅极结构；于IGBT形成区域的衬底中形成第二导电类型掺杂的阱区，并于阱区中形成第一导电类型掺杂的发射区；于发射区上形成发射极金属层，于FRD极区上形成FRD第一电极；于衬底远离发射区的一面形成背面金属层。本发明通过于同一衬底上形成IGBT芯片和匹配的FRD芯片，能够减少封装上芯次数，降低封装面积；并且，双芯片设计能够降低芯片边缘和中间位置的应力，提高生产良率。

主权项：1.一种并联FRD的双芯片IGBT结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一导电类型衬底，所述衬底包括IGBT形成区域和FRD形成区域，所述IGBT形成区域和所述FRD形成区域间隔预设距离；于所述IGBT形成区域的有源区周围形成IGBT保护环，于所述FRD形成区域的有源区周围形成FRD保护环；于所述FRD形成区域的所述衬底中形成第二导电类型掺杂的FRD极区；于所述IGBT形成区域的所述衬底中形成栅极结构；于所述IGBT形成区域的所述衬底中形成第二导电类型掺杂的阱区，并于所述阱区中形成第一导电类型掺杂的发射区；于所述IGBT形成区域和所述FRD形成区域之间的所述衬底中形成第一导电类型掺杂的截止区；于所述发射区上形成发射极金属层，于所述FRD极区上形成FRD第一电极；于所述衬底远离所述发射区的一面形成背面金属层，其中，位于所述IGBT形成区域的所述背面金属层构成集电极金属层，位于所述FRD形成区域中的所述背面金属层构成FRD第二电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海功成半导体科技有限公司 一种并联FRD的双芯片IGBT结构及制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD