申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-02-28

公开（公告）日：2023-05-09

公开（公告）号：CN116087840A

主分类号：G01R33/06

分类号：G01R33/06;H03H9/21;B81B7/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.30#实质审查的生效;2023.05.09#公开

摘要：本发明属于微机电技术领域，具体为一种基于音叉式TPoS谐振器的磁场传感器。包括硅衬底，以及集成在硅衬底上的音叉式TPoS谐振器的磁场传感器；所述音叉式TPoS谐振器的磁场传感器包括金属螺旋线圈、第一频率变化单元和第二频率变化单元；第一频率变化单元包括微杠杆和三音叉式TPoS谐振器，微杠杆的一端连接金属螺旋线圈，另一端连接三音叉式TPoS谐振器；第二频率变化单元与第一频率变化单元结构尺寸完全相同，且与第一频率变化单元关于金属螺旋线圈呈中心对称。与传统的电容式谐振器相比，本发明通过设置在两个频率变化单元的音叉式TPoS谐振器，降低在封装和外部信号处理电路设计的复杂度，实现更低的制备成本。

主权项：1.一种基于音叉式TPoS谐振器的磁场传感器，包括硅衬底，以及集成在硅衬底上的音叉式TPoS谐振器的磁场传感器，其特征在于：所述音叉式TPoS谐振器的磁场传感器包括金属螺旋线圈、第一频率变化单元和第二频率变化单元；第一频率变化单元包括微杠杆和三音叉式TPoS谐振器，微杠杆的一端连接金属螺旋线圈，另一端连接三音叉式TPoS谐振器；第二频率变化单元与第一频率变化单元结构尺寸完全相同，且与第一频率变化单元关于金属螺旋线圈呈中心对称。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种基于音叉式TPoS谐振器的磁场传感器

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