申请/专利权人：中国科学院金属研究所

申请日：2022-12-13

公开（公告）日：2023-05-12

公开（公告）号：CN116102003A

主分类号：C01B32/159

分类号：C01B32/159;C01B32/168

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.30#实质审查的生效;2023.05.12#公开

摘要：本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法。将基片上的单壁碳纳米管经过常温氢化处理，再通过氧化退火刻蚀，实现碳纳米管的直径分布显著窄化，半导体性碳纳米管的纯度富集度数量百分比提高至90％以上。本发明利用一种简单的常温氢等离子体处理方法，实现单壁碳纳米管结构依赖的氢化学吸附，结合氧化退火进行碳纳米管的选择性刻蚀，实现了窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的高效制备，为推动半导体性单壁碳纳米管的实际应用奠定材料基础。

主权项：1.一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法，其特征在于，该方法包含两个基本步骤：氢等离子体处理和氧化性气氛退火；利用单壁碳纳米管结构相关的氢化学吸附能力实现选择性的氢化学吸附，为选择性刻蚀提供热力学基础；再通过氧化性气氛低温退火实现选择性刻蚀，得到窄直径分布、纯度富集度数量百分比在90％以上的窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院金属研究所 一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法

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