申请/专利权人：南京信息工程大学

申请日：2022-05-07

公开（公告）日：2023-05-16

公开（公告）号：CN114978385B

主分类号：H04B17/391

分类号：H04B17/391;H04B17/318

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.16#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开

摘要：本发明公开了一种Nakagami衰落信道仿真方法。首先进行参数初始化，基于正弦波叠加法生成直射路径分量和多径散射分量；然后将直射路径分量和多径散射分量叠加生成Nakagami衰落信道；最后对Nakagami衰落信道进行一阶和二阶统计特性分析。本发明考虑了散射体相对于移动路径的平均入射角，研究了不同角度下功率谱密度的变化情况，更加符合实际信道特性。本发明不仅可以同时获得精确的一二阶统计特性，而且运算复杂度低，占用资源少，适用于在FPGA硬件平台生成任意m参数Nakagami衰落信道。

主权项：1.一种Nakagami衰落信道仿真方法，其特征在于，采用正弦波叠加法生成直射路径分量和多径散射分量，并将直射路径分量和多径散射分量叠加生成Nakagami衰落信道，包括步骤如下：S1，设定生成Nakagami衰落信道所需参数；S2，采用正弦波叠加法生成直射路径分量；S3，采用正弦波叠加法生成多径散射分量；S4，将直射路径分量和多径散射分量叠加生成的Nakagami衰落信道表示为： 其中，H1k为Nakagami信道直射路径分量，H2k为Nakagami信道多径散射分量；e为自然对数，j表示虚数单位；A0为直射分量振幅；Φ0为直射分量初始相位；α0为散射体相对于移动路径的平均入射角；SD为响应样本密度，表示每半波长脉冲响应的数量；时间指数k是由样本密度SD确定的时间步长；Φi为散射分量初始相位；αi为散射分量的入射角；S5，对Nakagami衰落信道进行仿真分析，仿真其一阶统计特性和二阶统计特性并验证信道的正确性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京信息工程大学 一种Nakagami衰落信道仿真方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD