申请/专利权人：苏州研材微纳科技有限公司

申请日：2022-12-28

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116143065A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B81B7/02;B81B7/00;G03F7/20;G03F7/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明涉及一种基于波长特异性的MEMS器件悬空结构制备方法及器件。其包括如下步骤：提供器件衬底，并在所述器件衬底上制备第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光，以得到若干第一光刻胶层曝光区域；在上述第一光刻胶层上制备第二光刻胶层，并对所制备的第二光刻胶层进行曝光，以得到若干第二光刻胶层曝光区域，其中，第二光刻胶层、第一光刻胶层曝光所用的曝光波长不同；对第一光刻胶层曝光区域以及第二光刻胶层曝光区域进行所需的显影，以利用图形化后的第一光刻胶层以及第二光刻胶层形成所需的悬空结构。本发明可有效制备得到MEMS器件的悬空结构，与现有工艺兼容，提高工艺的稳定性与可靠性，降低工艺成本。

主权项：1.一种基于波长特异性的MEMS器件悬空结构制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤：提供器件衬底，并在所述器件衬底上制备第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光，以得到若干第一光刻胶层曝光区域；在上述第一光刻胶层上制备第二光刻胶层，并对所制备的第二光刻胶层进行曝光，以得到若干第二光刻胶层曝光区域，其中，第二光刻胶层曝光区域位于第一光刻胶层曝光区域上，且第二光刻胶层、第一光刻胶层曝光所用的曝光波长不同；对第一光刻胶层曝光区域以及第二光刻胶层曝光区域进行所需的显影，以利用图形化后的第一光刻胶层以及第二光刻胶层形成所需的悬空结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州研材微纳科技有限公司 基于波长特异性的MEMS器件悬空结构制备方法及器件

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