申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2022-06-29

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN115178279B

主分类号：B01J27/051

分类号：B01J27/051;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/00;B01J37/03;B01J37/20;C02F1/30;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.23#授权;2022.11.01#实质审查的生效;2022.10.14#公开

摘要：本发明公开了一种合成金属R掺杂MoS2薄层纳米片的方法及其产物。本发明是基于金属离子RR＝Mn，Zn，Er可与MoO42‑形成沉淀RxMoOy，RxMoOy晶体中R原子与Mo原子均匀分散，经硫化形成硫化物混合相RmSnMoS2:R，最后将RmSn用酸刻蚀除去，得到薄层纳米片MoS2:R。本发明合成的Er掺杂的MoS2薄层纳米片相比于未掺杂的MoS2薄层纳米片有着更加优异的光催化性能，在可见光催化等领域具有良好的应用前景。且该方法具有设备要求低、产量高、反应条件容易控制、工艺简单、原料成本低、废液离子可回收等优点，可用于合成大量掺杂的MoS2薄层片，易于工业生产。

主权项：1.一种合成金属R掺杂MoS2薄层纳米片的方法，其特征在于，金属R为Mn、Zn或Er，金属R掺杂MoS2薄层纳米片合成方法包括以下步骤：（1）前驱体RxMoOy的合成：分别配制R离子、MoO42-离子溶液，均匀搅拌MoO42-溶液的同时滴入R离子溶液，得到含RxMoOy的悬浊液，然后经抽滤、干燥得到RxMoOy块体，研磨细化得到RxMoOy粉体；所述前驱体RxMoOy中的R表示Mn、Zn或Er，x表示RxMoOy晶胞中R原子的个数，y表示RxMoOy晶胞中O原子的个数；（2）RmSnMoS2:R混合硫化物的合成：将步骤（1）得到的RxMoOy粉体置于刚玉坩埚中并平铺均匀，另一刚玉坩埚中放置硫粉，然后将两个坩埚放置于双温区管式炉中，其中有RxMoOy的坩埚位于高温区中心和气路下游，有硫粉的坩埚位于低温区中心和气路上游，同时启动加热，加热过程中持续通入氩气、氢气混合气作为载气，上游的硫粉会被载气带至下游的RxMoOy处或与H2反应生成H2S，进而与RxMoOy反应生成RmSnMoS2:R的混合硫化物；所述RmSnMoS2:R混合硫化物中的R表示Mn、Zn或Er；m表示RmSn晶胞中R原子的个数；n表示RmSn晶胞中S原子的个数；所述RxMoOy粉体的加热温度为930-1000℃；硫粉的加热温度为220-270℃；（3）RmSn相的刻蚀：将步骤（2）得到的RmSnMoS2:R粉体加入到盐酸溶液中，进行刻蚀反应去除RmSn相，然后反复抽滤、去离子水清洗，最后干燥得到MoS2:R粉体，即所述薄层纳米片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种合成金属R掺杂MoS₂薄层纳米片的方法及其产物

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