申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-04-24

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN116169215A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.18#授权;2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明公开了一种电流阻挡层及其制备方法、LED芯片，涉及半导体技术领域，电流阻挡层的制备方法包括提供一P型半导体层；在P型半导体层上沉积ITO层；在ITO层上涂布光刻胶、对光刻胶进行曝光、显影、蚀刻，露出部分ITO层，形成光刻图案；对露出的部分ITO层进行刻蚀，形成光刻ITO图案；在光刻ITO图案上沉积DBR层；去除残余的光刻胶和DBR层，并进行退火处理；去除残余的ITO层，得到电流阻挡层；本发明能够解决现有技术中DBR层作为电流阻挡层易与光刻胶粘连，当光刻胶剥离时，DBR层易脱落和翘起，导致后续沉积的透明导电层脱落或者断裂，影响LED芯片的性能的技术问题。

主权项：1.一种电流阻挡层的制备方法，其特征在于，所述电流阻挡层的制备方法包括：提供一生长所需的P型半导体层；在所述P型半导体层上沉积第一预设厚度的ITO层，并在第一预设温度下退火处理第一预设时间；在退火后的ITO层上涂布光刻胶、对所述光刻胶进行曝光、显影、蚀刻，露出部分ITO层，形成光刻图案；在所述光刻图案上使用刻蚀液对露出的部分ITO层进行第二预设时间的湿法刻蚀，露出部分P型半导体层，形成光刻ITO图案；在所述光刻ITO图案上沉积第二预设厚度的DBR层；去除残余的光刻胶和光刻胶表面的DBR层，并在第二预设温度下退火处理第三预设时间；使用刻蚀液去除残余的ITO层，得到沉积于所述P型半导体层上的电流阻挡层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种电流阻挡层及其制备方法、LED芯片

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