申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-11-17

公开（公告）日：2023-06-27

公开（公告）号：CN116344667A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.14#实质审查的生效;2023.06.27#公开

摘要：一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜的制作方法，属于半导体技术领域的薄膜制备领域。本发明通过在样品台上放置石英玻璃板，电隔绝等离子体增强化学气相沉积系统的阳极和阴极，在太阳能电池板衬底下方通过丝网印刷多个同心圆环形金属电极并通过导线将各圆环电极与样品台阴极相连保持相同电位，使得在PECVD过程中未沉积圆环形金属电极的太阳能电池板上方处的射频偏压降低，从而显著降低该区域的生长速率；而已沉积金属电极的太阳能电池板的上方区域，沉积的金属电极对电场的感应降低电位，相比未沉积金属电极的区域增加了偏压，使得氮化硅薄膜的沉积速率明显高于未沉积金属电极上方的沉积速率，最终形成具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜。

主权项：1.一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜制作方法，其特征在于，通过在样品台上放置石英玻璃板，电隔绝等离子体增强化学气相沉积系统的阳极和阴极，在太阳能电池板衬底下方通过丝网印刷多个同心圆环形金属电极并通过导线将各圆环电极与样品台阴极相连保持相同电位，使得在PECVD过程中未沉积圆环形金属电极的太阳能电池板上方处的射频偏压降低，从而显著降低该区域的生长速率；而已沉积金属电极的太阳能电池板的上方区域，沉积的金属电极对电场的感应降低电位，相比未沉积金属电极的区域增加了偏压，使得氮化硅薄膜的沉积速率明显高于未沉积金属电极上方的沉积速率，最终形成了具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种具有涟漪形的非均匀厚度的氮化硅薄膜的制作方法

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