申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954545A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/06;H01L33/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提出了一种氮化镓基半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述量子阱层与p型半导体层之间设置有三维空穴注入层，所述三维空穴注入层具有弹性系数分布和热膨胀系数分布特性。本发明通过在量子阱层与p型半导体层之间设置三维空穴注入层，并对该三维空穴注入层的弹性系数分布和热膨胀系数分布进行特定设计，能够提升Mg溶解度和离化效率，提升量子阱层中电子空穴波函数的交叠几率，从而提升电子空穴复合效率，使半导体发光元件的内量子效率IQE从40～60％提升至70～98％。

主权项：1.一种氮化镓基半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，其特征在于，所述量子阱层与p型半导体层之间设置有三维空穴注入层，所述三维空穴注入层具有弹性系数分布和热膨胀系数分布特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种氮化镓基半导体发光元件

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