申请/专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司

申请日：2021-12-10

公开（公告）日：2023-07-25

公开（公告）号：CN114203732B

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H01L21/77

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.25#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要：本申请提供了一种LTPO基板及其制作方法、显示面板。该LTPO基板包括衬底、多晶硅有源层、第一绝缘层、第一电极层、第二绝缘层、氧化物有源层、第三绝缘层和第二电极层。多晶硅有源层设于衬底上。第一绝缘层设于多晶硅有源层和衬底上。第一电极层包括设于第一绝缘层上并间隔设置的第一栅极、遮光层和第一极板。第二绝缘层设于第一绝缘层和第一电极层上。氧化物有源层设于第二绝缘层上。第三绝缘层设于第二绝缘层和氧化物有源层上。第二电极层包括位于第三绝缘层上并间隔设置的第二栅极和第二极板。即本申请通过将第一栅极、遮光层及第一极板同层设置，将第二栅极和第二极板同层设置，可以减少绝缘层的数量，从而降低LTPO基板的厚度。

主权项：1.一种LTPO基板，其特征在于，包括：衬底；多晶硅有源层，所述多晶硅有源层设于所述衬底上；第二静电屏蔽层，所述第二静电屏蔽层与所述多晶硅有源层同层设置；第一绝缘层，所述第一绝缘层设于所述多晶硅有源层和所述衬底上；第一电极层，所述第一电极层包括设于所述第一绝缘层上并间隔设置的第一栅极、遮光层和第一极板；所述第一栅极位于所述多晶硅有源层的上方；第二绝缘层，所述第二绝缘层设于所述第一绝缘层和所述第一电极层上；氧化物有源层，所述氧化物有源层设于所述第二绝缘层上，并位于所述遮光层的上方；第三绝缘层，所述第三绝缘层设于所述第二绝缘层和所述氧化物有源层上；第二电极层，所述第二电极层包括位于所述第三绝缘层上并间隔设置的第二栅极和第二极板；所述第二栅极位于所述氧化物有源层的上方，所述第二极板位于所述第一极板的上方；层间介电层，所述层间介电层设于所述第二绝缘层、所述氧化物有源层和所述第二电极层上；第三电极层，所述第三电极层设于所述层间介电层上，所述第三电极层包括间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极，所述第一源极和第一漏极均与所述多晶硅有源层连接，所述第二源极和所述第二漏极均与所述氧化物有源层连接，所述第二源极还与所述第二静电屏蔽层连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 LTPO基板及其制作方法、显示面板

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