申请/专利权人：北京信息科技大学;广州市南沙区北科光子感知技术研究院

申请日：2023-03-27

公开（公告）日：2023-08-04

公开（公告）号：CN116544300A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0352

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.08.22#实质审查的生效;2023.08.04#公开

摘要：本发明提供了一种InAsGaSbII类超晶格红外探测器的制备方法包括：S1、在GaSb衬底上溅射SiO2层；S2、在SiO2层上粘附光刻胶层，并通过掩膜板对光刻胶层进行曝光；S3、对曝光后的光刻胶层进行图案化处理；S4、对SiO2层进行蚀刻，并去除光刻胶层；S5、在SiO2层的间隙内生长InAsGaSbII类超晶格台；S6、蚀刻去除SiO2层；S7、在InAsGaSbII类超晶格台的台面及侧壁制备金属电极。本发明针对传统的衬底外延后再进行刻蚀的方法提出改进，提出先对衬底进行刻蚀图形化，再进行外延生长，极大地避免了外延部分化学键的断裂，有效抑制了传统II类超晶格红外探测器存在的较大的表面暗电流。

主权项：1.一种InAsGaSbII类超晶格红外探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1、在GaSb衬底上溅射SiO2层；S2、在SiO2层上粘附光刻胶层，并通过掩膜板对光刻胶层进行曝光；S3、对曝光后的光刻胶层进行图案化处理；S4、对SiO2层进行蚀刻，并去除光刻胶层；S5、在SiO2层的间隙内生长InAsGaSbII类超晶格台；S6、蚀刻去除SiO2层；S7、在InAsGaSbII类超晶格台的台面及侧壁制备金属电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京信息科技大学;广州市南沙区北科光子感知技术研究院 一种InAs/GaSb II类超晶格红外探测器的制备方法

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