申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2019-08-02

公开（公告）日：2023-08-25

公开（公告）号：CN110797075B

主分类号：G11C29/44

分类号：G11C29/44

优先权：["20180802 US 62/713,964"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.25#授权;2020.03.10#实质审查的生效;2020.02.14#公开

摘要：本发明涉及具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器。本发明提供一种操作存储系统的方法，该存储系统包括存储器单元和存储器控制器。每个存储器单元是m位多层单元MLC，其中m是整数。方法包括对目标存储器单元执行软读取操作，并且基于来自软读取操作的结果确定当前LLR对数似然比值。方法还包括基于相邻存储器单元对目标存储器单元的LLR的影响而将相邻存储器单元和目标存储器单元的m位单元值分组成各自的n位索引，其中n是整数并且nm。基于n位索引来确定LLR补偿值，并且基于当前LLR值和LLR补偿值来确定补偿LLR值。方法还包括使用该补偿LLR值执行软解码。

主权项：1.一种非易失性数据存储装置，包括：存储器单元，所述存储器单元中的每个为与字线和位线相关联的4位四层单元即QLC；以及存储器控制器，联接到所述存储器单元以控制所述存储器单元的操作；其中所述存储器控制器包括：对数似然比生成块，即LLR生成块，生成当前LLR值；下采样块，基于相邻存储器单元对目标存储器单元的LLR的影响，将所述相邻存储器单元和所述目标存储器单元的4位单元值分组成各自的3位索引；LLR补偿查找表，即LLR补偿LUT，提供LLR补偿值，以及LLR校正块，接收所述当前LLR值和所述LLR补偿值以产生补偿LLR值；其中所述存储器控制器：响应于来自主机的读取命令对所述目标存储器单元执行软读取操作，使用所述LLR生成块、基于来自所述软读取操作的结果来确定所述当前LLR值；使用所述下采样块将所述相邻存储器单元和所述目标存储器单元的4位单元值转换成各自的3位索引；使用所述LLR补偿LUT、基于3位索引来确定所述LLR补偿值；使用所述LLR校正块以基于所述当前LLR值和所述LLR补偿值确定所述补偿LLR值；使用所述补偿LLR值来执行软解码；基于所述软解码来校正所述单元值；并且将所校正的单元值存储在所述存储器控制器中。

全文数据：

权利要求：

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