申请/专利权人：深圳市硅格半导体有限公司

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN117574835A

主分类号：G06F30/392

分类号：G06F30/392;G06F117/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明涉及数据处理领域，公开了一种NandFalshLLR分布的模拟方法、设备及存储介质。该方法包括：生成待训练的深度学习模型；将预设环境数据以及预设阈值电压分布数据集作为训练数据，对所述深度学习模型执行模型训练操作，得到vth偏移预测模型；检测到NandFalsh的阈值电压分布数据时，调用预先训练的vth偏移预测模型对所述阈值电压分布数据执行多条件模拟预测操作，得到多组模拟数据；在所述模型数据中获取所述NandFalsh对应的NandFalshLLR分布。在本发明实施例中，降低了NandFalshLLR分布的模拟成本。

主权项：1.一种NandFalshLLR分布的模拟方法，其特征在于，所述NandFalshLLR分布的模拟方法包括：生成待训练的深度学习模型；将预设环境数据以及预设阈值电压分布数据集作为训练数据，对所述深度学习模型执行模型训练操作，得到vth偏移预测模型；检测到NandFalsh的阈值电压分布数据时，调用预先训练的vth偏移预测模型对所述阈值电压分布数据执行多条件模拟预测操作，得到多组模拟数据；在所述模型数据中获取所述NandFalsh对应的NandFalshLLR分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市硅格半导体有限公司 Nand Falsh LLR分布的模拟方法、设备及存储介质

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