申请/专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体(杭州)有限公司;昕原半导体(深圳)有限公司

申请日：2023-04-24

公开（公告）日：2023-09-01

公开（公告）号：CN116682471A

主分类号：G11C13/00

分类号：G11C13/00;H10B63/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.19#实质审查的生效;2023.09.01#公开

摘要：本发明提供一种基于ReRAM的电路耦合单元及电路耦合方法，包括：第一ReRAM电路和第二ReRAM电路；第一ReRAM电路包括第一ReRAM结构和第一晶体管；第一ReRAM结构的一端连接有第一供电电压，另一端与第一晶体管的输入端连接，第一晶体管的输出端接地；第二ReRAM电路包括第二ReRAM结构和第二晶体管；第二ReRAM结构的一端连接有第二供电电压，另一端与第二晶体管的输入端连接，第二晶体管的输出端接地。利用本发明能够解决现有技术中，1T1R结构在ReRAM为LRS时，流经ReRAM的电流非常大，增加电流消耗，从而导致1T1R的电路结构不适合长时间开启的场景的技术问题。

主权项：1.一种基于ReRAM的电路耦合单元，其特征在于，包括：第一ReRAM电路和第二ReRAM电路；其中，所述第一ReRAM电路包括第一ReRAM结构和第一晶体管；所述第一ReRAM结构的一端连接有第一供电电压，另一端与所述第一晶体管的输入端连接，所述第一晶体管的输出端接地；所述第二ReRAM电路包括第二ReRAM结构和第二晶体管；所述第二ReRAM结构的一端连接有第二供电电压，另一端与所述第二晶体管的输入端连接，所述第二晶体管的输出端接地；所述第一晶体管的栅极连接在所述第二晶体管的输入端，并在连接处设置有第一数据节点Q；所述第二晶体管的栅极连接在所述第一晶体管的输入端，并在连接处设置有第二数据节点Qb。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体(杭州)有限公司;昕原半导体(深圳)有限公司 基于ReRAM的电路耦合单元及电路耦合方法

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