申请/专利权人：成都方舟微电子有限公司

申请日：2023-05-31

公开（公告）日：2023-09-01

公开（公告）号：CN116683396A

主分类号：H02H3/08

分类号：H02H3/08;H01L25/18;H01L29/78;H02H3/20;H02H9/04;H02H9/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.19#实质审查的生效;2023.09.01#公开

摘要：本发明公开一种TBU电路，包括N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET以及限流元件，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的源极连接P沟道耗尽型MOSFET的源极，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的漏极连接P沟道耗尽型MOSFET的栅极，限流元件的一端连接N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的栅极，限流元件的另一端连接P沟道耗尽型MOSFET的漏极。本发明采用P沟道耗尽型MOSFET作为高压器件，既能限流，也能够抑制高压。

主权项：1.一种TBU电路，其特征在于：包括N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET以及限流元件，所述N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的源极连接P沟道耗尽型MOSFET的源极，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的漏极连接P沟道耗尽型MOSFET的栅极，所述限流元件的一端连接N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的栅极，限流元件的另一端连接P沟道耗尽型MOSFET的漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都方舟微电子有限公司 一种TBU电路

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