申请/专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所

申请日：2020-08-28

公开（公告）日：2023-10-03

公开（公告）号：CN112071757B

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.03#授权;2020.12.29#实质审查的生效;2020.12.11#公开

摘要：本发明公开一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，步骤为：1生长LOCOS隔离场氧化层，形成最优硅基衬底；2形成SiGeHBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；3在最优硅基衬底表面形成SiGeHBT晶体管基区窗口；4在最优硅基衬底的表面形成SiGeHBT晶体管基区外延材料层；5在最优硅基衬底的表面形成SiGeHBT晶体管发射区窗口；6在最优硅基衬底表面形成SiGeHBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；7在最优硅基衬底表面淀积介质层，完成金属互连，形成SiGeHBT晶体管。本发明采用局部两次氮化硅硬掩膜氧化工艺方法，减小了HBT晶体管外基区高台阶，从而减小了外基区高台阶反射对发射结多晶光刻造成的影响。

主权项：1.一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1选取硅基衬底；2利用一次氮化硅硬掩膜方法在SiGeHBT晶体管发射极有源区和集电极有源区之间生长LOCOS隔离场氧化层，并对LOCOS隔离场氧化层进行湿法腐蚀，形成最优硅基衬底100；3利用二次氮化硅硬掩膜方法形成SiGeHBT晶体管发射极有源区与集电极有源区之间的LOCOS场氧化层、器件间用于隔离的LOCOS氧化层；所述器件包括SiGeHBT晶体管、NMOS器件、PMOS器件；4在最优硅基衬底100表面形成SiGeHBT晶体管基区窗口；5在最优硅基衬底100的表面形成SiGeHBT晶体管基区外延材料层109；6在最优硅基衬底100的表面形成SiGeHBT晶体管发射区窗口；7在最优硅基衬底100表面形成SiGeHBT晶体管多晶发射结精细结构和外基区；8在最优硅基衬底100表面淀积介质层114，完成金属的互连，形成完整的SiGeHBT晶体管。

全文数据：

权利要求：

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