申请/专利权人：浙江光特科技有限公司

申请日：2022-11-15

公开（公告）日：2023-10-27

公开（公告）号：CN116960012A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L23/544

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.14#实质审查的生效;2023.10.27#公开

摘要：本发明公开了一种WAT层别暗电流原因的方法，包括：在晶圆上加工出至少一组WAT器件，一组WAT器件内包括一个第一WAT器件WAT‑1以及至少一个第二WAT器件，第一WAT器件WAT‑1采用有源器件相同的加工工艺加工，第二WAT器件采用有源器件相同的加工工艺加工并刻意缺失其中一个结构，不同的第二WAT器件缺失不同的结构；检测WAT器件是否有高暗电流。根据不同WAT器件上暗电流的高低层别出造成有源器件暗电流的原因。本发明可以即时层别出造成有源器件高暗电流的主要原因，从而找出相应的工艺步骤，针对工艺步骤实施纠正改善措施，可以缩短改善良率的时效，而且不需要实施复杂的DOE实验，大量降低实验成本。

主权项：1.一种WAT层别暗电流原因的方法，其特征在于，包括：在晶圆上加工出至少一组WAT器件，一组WAT器件内包括一个第一WAT器件WAT-1以及至少一个第二WAT器件，第一WAT器件WAT-1采用有源器件相同的加工工艺加工，第二WAT器件采用有源器件相同的加工工艺加工并刻意缺失其中一个结构，不同的第二WAT器件缺失不同的结构；检测WAT器件是否有高暗电流。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江光特科技有限公司 一种WAT层别暗电流原因的方法

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