申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所

申请日：2023-07-10

公开（公告）日：2023-10-27

公开（公告）号：CN116960084A

主分类号：H01L23/473

分类号：H01L23/473

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.14#实质审查的生效;2023.10.27#公开

摘要：本发明提出了一种集成多岐管微流道的阵列芯片冷却装置及冷却方法，在现有阵列芯片间一级集分液冷却结构的基础上，在散热基板内对应单芯片底部增加一级多岐管集分液结构，实现了芯片间和芯片内的两级并联流道，保证了阵列芯片极高的温度一致性；芯片底部多岐管结合10μm级微流道复合冷却结构，在极短流程的并联流道中形成局部射流效应，在低流阻的条件下将单点散热能力提升至kWcm2。本发明为超高热流密度阵列功放芯片的近结冷却技术提供了一种解决方案，且设计合理、结构精巧，相比现有冷却结构散热能力提升1倍，流阻降低30％，芯片温度一致性提升40％。

主权项：1.一种集成多岐管微流道的阵列芯片冷却装置，其特征在于：从上到下包括封装基板11、封装基板22和封装基板33，所述封装基板11正面以阵列形式排布多个功放芯片4，背面设有与所述阵列功放芯片4对应的阵列微流道5；所述封装基板22正面设有阵列多岐管集分液流道6，背面设有多个供液口7和回液口8，所述多岐管集分液流道6由多个并联交错布置的二级供液流道13和二级回液流道14组成，与所述封装基板11的微流道5对应；所述封装基板33正面设有一级集分液流道，所述一级集分液流道包括连接所述供液口7的一级供液流道9和连接所述回液口8的一级回液流道10，背面设有1个主进液口11和2个主出液口12，连通供液口7和回液口8；所述一级集分液流道将冷却液均匀分配到所述多岐管集分液流道6，在所述多岐管集分液流道6中，冷却液经过所述二级供液流道13向上进入所述微流道5，经过短流程射流后向下回到相邻的所述二级回液流道14。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十四研究所 一种集成多岐管微流道的阵列芯片冷却装置及冷却方法

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