申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2020-11-12

公开（公告）日：2023-10-31

公开（公告）号：CN114497173B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.31#授权;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开

摘要：本发明公开了一种应用于射频功率放大的双埋沟RFLDMOS器件，其包括：衬底、外延层、源极、漏极和栅极，所述外延层内分布有漂移区、阱区、第一沟道区、第二沟道区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述第一沟道区分别与所述源区、漂移区相邻接，所述第二沟道区分别与所述源区、阱区、漂移区相邻接；所述栅极自所述第一沟道区、第二沟道区的上方延伸至所述漂移区的上方，被所述栅极覆盖的所述第一沟道区、第二沟道区内均形成有埋沟；其中，所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述漂移区、第一沟道区、第二沟道区、源区、漏区均为第二掺杂类型。本发明在外延层内形成双埋沟，进一步提升了器件的性能。

主权项：1.一种应用于射频功率放大的双埋沟RFLDMOS器件，其特征在于包括：衬底、外延层、源极、漏极和栅极，所述外延层叠设在所述衬底上；所述外延层内分布有漂移区、阱区、第一沟道区、第二沟道区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述源区和掺杂区相邻接，所述第二沟道区分别与所述源区、漂移区相邻接，所述第一沟道区分别与所述源区、阱区、漂移区相邻接，所述第二沟道区沿器件纵向叠设在所述第一沟道区的上方；所述源极、漏极、栅极设置在所述外延层的上方，所述栅极自所述第一沟道区、第二沟道区的上方延伸至所述漂移区的上方，被所述栅极覆盖的所述第一沟道区、第二沟道区内均形成有埋沟；所述源极与所述源区电连接，所述漏极与所述漏区电连接，并且，所述源极还与所述衬底电连接；其中，所述衬底、外延层、阱区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述漂移区、第一沟道区、第二沟道区、源区、漏区均为第二掺杂类型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 应用于射频功率放大的双埋沟RFLDMOS器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD