申请/专利权人:合肥智杰精密设备有限公司
申请日:2023-06-16
公开(公告)日:2023-11-10
公开(公告)号:CN219991729U
主分类号:C23C16/455
分类号:C23C16/455;C23C16/52
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.11.10#授权
摘要:本实用新型涉及气相沉积技术领域,具体为一种半导体薄膜淀积用化学气相沉积设备,包括气相沉积设备箱体,所述气相沉积设备箱体内部的上方固定安装有扩散板,所述气相沉积设备箱体的外侧固定安装有PLC控制器,所述扩散板上开设有若干排气孔,且排气孔的顶部螺纹连接有导气管,所述气相沉积设备箱体的顶部固定安装有进气箱。该半导体薄膜淀积用化学气相沉积设备,通过在气相沉积设备箱体的内部设置扩散板,并在扩散板上开设若干排气孔,同时每个排气孔均连接有导气管,在对工艺气体进行输送时,通过导气管上流速传感器、管道电磁阀配合对气体流量进行控制,从而保证每个排气孔中气体流量均相同。
主权项:1.一种半导体薄膜淀积用化学气相沉积设备,包括气相沉积设备箱体1,所述气相沉积设备箱体1内部的上方固定安装有扩散板2,所述气相沉积设备箱体1的外侧固定安装有PLC控制器19,其特征在于:所述扩散板2上开设有若干排气孔8,且排气孔8的顶部螺纹连接有导气管4,所述气相沉积设备箱体1的顶部固定安装有进气箱3,且进气箱3与导气管4连通,所述导气管4上固定安装有流速传感器5、管道电磁阀6,所述进气箱3的顶部设置有密封顶板12,且密封顶板12的顶部固定安装有进气歧管13,所述进气歧管13的一端固定连接有主进气管14,且主进气管14远离进气歧管13的一端固定连接有工艺气体导入管15,所述工艺气体导入管15上设置有输送气泵16,所述主进气管14上设置有驱动电机17、混合涡轮18。
全文数据:
权利要求:
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