申请/专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司

申请日：2022-03-01

公开（公告）日：2023-10-20

公开（公告）号：CN116917535A

主分类号：C23C16/04

分类号：C23C16/04

优先权：["20210302 US 63/155,669"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.22#实质审查的生效;2023.10.20#公开

摘要：本发明公开了选择性沉积含硅和氧的介电膜到衬底上的方法。所述方法包括向反应器提供包含电介质表面和金属或金属氢化物表面的衬底的步骤。可将卤化的含硅化合物引入反应器以相比于在金属或金属氢化物表面上更大量地在电介质表面上形成含硅层。可将氮源引入反应器中以与含硅层反应而形成氮化硅膜或碳掺杂氮化硅膜。可将含氧源引入反应器以与氮化硅膜或碳掺杂氮化硅膜反应而形成含硅和氧的介电膜。

主权项：1.一种用于将含硅和氧的介电膜选择性地沉积到衬底上的方法，包括：a在反应器中提供至少一个包含至少一个第一表面和至少一个第二表面的衬底，其中所述至少一个第一表面是电介质表面，并且所述至少一个第二表面是硅表面、金属表面、金属化合物表面或其氢化物表面；b将所述反应器加热到约25℃至约600℃范围的至少一个温度，并任选地将所述反应器维持在约100托或更低的压力；c向所述反应器中引入至少一种包含卤化的含硅化合物的前体，所述卤化的含硅化合物相比于在所述至少一个第二表面上更大量地在所述至少一个表面上形成含硅层；d使用惰性气体从所述反应器中吹扫任何未反应的前体；e引入氮源以与所述含硅层反应，而形成氮化硅或碳掺杂氮化硅膜；f使用惰性气体吹扫所述反应器；g向所述反应器中引入含氧源以与所述氮化硅或碳掺杂氮化硅膜反应，而形成含硅和氧的介电膜；h使用惰性气体从所述反应器吹扫任何未反应的含氧源；及i任选地，使用还原剂处理所述衬底以形成清洁的金属氢化物层和清洁的电介质层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 弗萨姆材料美国有限责任公司 硅介电膜的选择性淀积

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