申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-11-06

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN117488276A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：一种低压化学气相淀积工艺沉积薄膜的方法，包括：通过若干次循环处理，直至在各晶圆表面形成具有第一厚度的本征材料膜，各次循环处理包括：本征成膜工艺和本征成膜工艺之后的清洁工艺，本征成膜工艺包括向反应腔内通入第一本征反应气体，清洁工艺包括停止通入第一本征反应气体之后，向反应腔内通入保护气体，对各晶圆表面进行吹扫操作；在形成本征材料膜之后，在本征材料膜上形成掺杂材料膜，掺杂材料膜的形成方法包括：向反应腔室内同时通入第二本征反应气体和掺杂源气体，直至掺杂材料膜和本征材料膜的总厚度为第二厚度，第一厚度小于或等于第二厚度的10％，利于提高最终成膜的质量。

主权项：1.一种低压化学气相淀积工艺沉积薄膜的方法，其特征在于，包括：将装载有若干晶圆的晶舟移入反应腔内；通过准备工艺使所述反应腔到达预设工艺温度和预设真空度；在所述准备工艺之后，通过若干次循环处理，直至在各所述晶圆表面形成具有第一厚度的本征材料膜，各次循环处理包括：本征成膜工艺和所述本征成膜工艺之后的清洁工艺，所述本征成膜工艺包括向所述反应腔内通入第一本征反应气体，所述清洁工艺包括停止通入所述第一本征反应气体之后，向所述反应腔内通入保护气体，对各所述晶圆表面进行吹扫操作；在形成所述本征材料膜之后，在所述本征材料膜上形成掺杂材料膜，所述掺杂材料膜的形成方法包括：向所述反应腔室内同时通入第二本征反应气体和掺杂源气体，直至所述掺杂材料膜和所述本征材料膜的总厚度为第二厚度，所述第一厚度小于或等于所述第二厚度的10％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 低压化学气相淀积工艺沉积薄膜的方法

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