申请/专利权人：深圳信息职业技术学院

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2023-11-14

公开（公告）号：CN117059652A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/73

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开

摘要：本发明提供了一种分段STI的高压三极管结构，该器件包括第二导电类型发射区、第一导电类型阱区、第二导电类型阱区、第二导电类型埋层区、第一导电类型衬底、第一导电类型注入区、浅槽隔离氧化层、第二导电类型发射极注入区、第一导电类型基极注入区、第二导电类型集电极注入区、发射极金属电极、基极金属电极、集电极金属电极；本发明通过在发射结表面使用分段式浅槽隔离区，在浅槽隔离间隙进行高掺杂P型注入，提高了基区表面浓度，削弱了总剂量辐射电荷致发射结耗尽区扩展引起的复合电流的增加，抑制的器件共发射极电流放大系数的退化，提升了三极管抗总剂量辐射的能力。

主权项：1.一种分段STI的高压三极管结构，其特征在于：包括位于器件底部的第一导电类型衬底5、位于第一导电类型衬底5上方的第二导电类型埋层区4、位于第二导电类型埋层区4上方的第二导电类型阱区3、位于第二导电类型埋层区4上方第二导电类型阱区3左侧的第一导电类型阱区2、位于第一导电类型阱区2左上方的第二导电类型发射区1、位于第二导电类型发射区1和第一导电类型阱区2上方发射结上方的浅槽隔离氧化层A7、位于第一导电类型阱区2表面浅槽隔离氧化层A7右侧的浅槽隔离氧化层B8、位于第一导电类型阱区2和第二导电类型阱区3上方的集电结上方浅槽隔离氧化层C9、位于浅槽隔离氧化层A7与浅槽隔离氧化层B8之间的第一导电类型注入区6、位于第二导电类型发射区1上方浅槽隔离氧化层A7左侧的第二导电类型发射极注入区10、位于第一导电类型阱区2上方浅槽隔离氧化层B8和浅槽隔离氧化层C9之间的第一导电类型基极注入区11、位于第二导电类型阱区3上方浅槽隔离氧化层C9右侧的第二导电类型集电极注入区12、位于第二导电类型发射机注入区10上方的发射极金属电极13、位于第一导电类型基极注入区11上方的基极金属电极14、位于第二导电类型集电极注入区12上方的集电极金属电极15。

全文数据：

权利要求：

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