申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司

申请日：2023-08-11

公开（公告）日：2023-11-17

公开（公告）号：CN117080242A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.11.17#公开

摘要：本发明提供一种具有埋P层和变浓度漂移区的SJLDMOS及制备方法，该SJLDMOS包括：多个埋P层；所述埋P层位于N‑drift层下方且位于P型衬底上层；所述埋P层用于改变漏极到源极的电场分布。本发明在传统SJLDMOS的结构上，通过变浓度的N‑drift层和变长度的埋P层，增强了靠近源区的电场，使得漏极到源极的电场分布更加均匀，优化了整体的体电场分布，提高器件BV。

主权项：1.一种具有埋P层和变浓度漂移区的SJLDMOS，其特征在于，包括：多个埋P层；所述埋P层位于N-drift层下方且位于P型衬底上层；所述埋P层用于改变漏极到源极的电场分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种具有埋P层和变浓度漂移区的SJ LDMOS及制备方法

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