申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2021-04-16

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113161265B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;G01N33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：本发明提供一种气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备，其中，气体浓度控制方法，用于半导体工艺中，包括：在半导体工艺开始前，将待控制气体的浓度控制在预设的目标浓度值；在半导体工艺过程中，对待控制气体的实际浓度值进行实时检测，判断实际浓度值是否大于预设的目标浓度值；若是，则根据预设的待控制气体的目标浓度值与补偿气体的目标流量值的第一对应关系，获得与预设的目标浓度值对应的第一目标流量值；控制补偿气体以第一目标流量值进行补偿。本发明提供的气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备，能够提高气体浓度控制的实时性，提高半导体工艺稳定性及安全性。

主权项：1.一种气体浓度控制方法，用于半导体工艺中，其特征在于，包括：在半导体工艺开始前，将待控制气体的浓度控制在预设的目标浓度值；在所述半导体工艺过程中，对所述待控制气体的实际浓度值进行实时检测，判断所述实际浓度值是否大于所述预设的目标浓度值；若是，则根据预设的所述待控制气体的目标浓度值与补偿气体的目标流量值的第一对应关系，获得与所述预设的目标浓度值对应的第一目标流量值；控制所述补偿气体以所述第一目标流量值进行补偿；所述在半导体工艺开始前，将待控制气体的浓度控制在预设的目标浓度值包括：在所述半导体工艺开始前，根据所述预设的目标浓度值，以及预设的所述待控制气体的目标浓度值与所述补偿气体的目标流量值的第二对应关系，获得与所述预设的目标浓度值对应的第二目标流量值；控制所述补偿气体以所述第二目标流量值进行补偿；对应相同的所述目标浓度值，所述第二对应关系中的所述目标流量值小于所述第一对应关系中的所述目标流量值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备

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