申请/专利权人:中国科学院半导体研究所
申请日:2023-10-25
公开(公告)日:2023-11-28
公开(公告)号:CN117133820A
主分类号:H01L31/0352
分类号:H01L31/0352;H01L31/102;H01L31/0304;H01L31/0224
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.12.26#授权;2023.12.15#实质审查的生效;2023.11.28#公开
摘要:本发明提供一种甚长波超晶格势垒红外探测器,包括由下至上依次叠置的衬底、缓冲层、底部接触层、吸收层、势垒层、顶部接触层和盖层;其中,底部接触层、吸收层、势垒层、顶部接触层均为InAsGaSbAlSbGaSb构成的M型超晶格,且通过分子束外延的方式生长得到;势垒层材料中的InAs层周期厚度比吸收层小。本发明吸收层和势垒层采用同种超晶格结构,可以解决晶格失配的问题,降低两者之间的价带偏移,从而降低GR暗电流噪声,提高探测器件的准确性和灵敏度。同时,超晶格结构可以通过能带工程控制调节带隙的大小、吸收系数的高低,丰富甚长波探测器的应用场景。
主权项:1.一种甚长波超晶格势垒红外探测器,其特征在于,包括:由下至上依次叠置的衬底(1)、缓冲层(2)、底部接触层(3)、吸收层(4)、势垒层(5)、顶部接触层(6)和盖层(7);其中,所述底部接触层(3)、所述吸收层(4)、所述势垒层(5)、所述顶部接触层(6)均为InAsGaSbAlSbGaSb构成的M型超晶格,且通过分子束外延的方式生长得到;所述势垒层(5)材料中的InAs层周期厚度比所述吸收层(4)小。
全文数据:
权利要求:
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