申请/专利权人：深圳市一博科技股份有限公司

申请日：2023-08-15

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN117192332A

主分类号：G01R31/28

分类号：G01R31/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开

摘要：本发明公开了一种获取TDR阻抗的方法，根据现有PCB文件信息，通过仿真软件仿真获得测试点至待测物之间的走线衰退，利用去嵌控件将走线衰退的仿真结果导入，仿真获得待测物的TDR阻抗。本发明提供一种获取TDR阻抗的方法，通过仿真的方法，模拟测试点至待测物之间的走线衰减，通过去嵌的方式将仿真的走线衰减结果导入，此时进行测试点到待测物的测试结果即为已经消除走线衰退效果的TDR阻抗，从而获得该待测物的真实的TDR阻抗。

主权项：1.一种获取TDR阻抗的方法，其特征在于，根据现有PCB文件信息，通过仿真软件仿真获得测试点至待测物之间的走线衰退，利用去嵌控件将走线衰退的仿真结果导入，仿真获得待测物的TDR阻抗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市一博科技股份有限公司 一种获取TDR阻抗的方法

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