申请/专利权人：无锡中微亿芯有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117807941A

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367;G01R27/14;G06F17/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请公开了一种基于传输通道的s参数提取TDR阻抗曲线的方法，涉及电子电路领域，该方法将频域的s参数得到输入端反射参数继而修正输入阶跃信号激励电压得到频域前向反射电压，将其进行有理化拟合得到系统传递函数，然后根据时域反射计仪器的基本原理，使用阶跃信号去进行系统传递函数得到时域反射电压，接着根据传输线反射理论，通过反射信号与入射信号的关系计算，就可以得到TDR阻抗的大小。该方法是一个纯软件算法，不需要使用专门的测量仪器和测量夹具来测反射信号与入射信号，复杂度较低，易于实现，且该方法无需预先知道传输通道的设计文件、材料参数、叠层文件等相关参数，适用范围更广，简化了阻抗测试和仿真工作。

主权项：1.一种基于传输通道的s参数提取TDR阻抗曲线的方法，其特征在于，所述方法包括：从传输通道的s参数中提取输入端反射参数Sreflect；基于所述输入端反射参数Sreflflect对输入阶跃信号激励电压Vin进行修正为频域前向反射电压Vreflect；对频域前向反射电压Vreflect进行有理化拟合得到系统传递函数Fs；利用阶跃信号激励所述系统传递函数Fs并进行拉普拉斯逆变换得到时域反射电压Vref；按照提取得到所述传输通道的TDR阻抗，Z0是参考阻抗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡中微亿芯有限公司 一种基于传输通道的s参数提取TDR阻抗曲线的方法

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