申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司

申请日：2023-08-21

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN117199112A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.12.08#公开

摘要：本发明提供一种提高雪崩耐量的SJMOSFET及制备方法，该SJMOSFET包括：多个P柱和多个N柱；多个所述P柱与所述N柱交错排列；多个所述P柱和所述N柱位于体区下方；多个在终端区的所述P柱的宽度比N柱的宽度大。本发明通过增加P柱的宽度，从而增加了空穴的占比，解决了SJMOSFET在终端区因空穴数量小于电子数量导致的电荷不平衡的问题，提升终端区的耐压能力，使得SJMOSFET能够承受更高的雪崩电流，从而提高了SJMOSFET的雪崩耐量。

主权项：1.一种提高雪崩耐量的SJMOSFET，其特征在于，包括：多个P柱和多个N柱；多个所述P柱与所述N柱交错排列；多个所述P柱和所述N柱位于体区下方；多个在终端区的所述P柱的宽度比N柱的宽度大。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种提高雪崩耐量的SJ MOSFET及制备方法

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