申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117525151A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明公开了一种提高反向恢复特性的SJMOS及制备方法，提高反向恢复特性的SJMOS器件包括第一N+区和第一体区，其中第一N+区位于源极与第一体区之间，并与栅极侧壁、第一体区和源极邻接；第一体区位于第一N+区和N柱之间，并与第一N+区和栅极侧壁邻接。本发明提供的提高反向恢复特性的SJMOS在传统的SJMOS基础上将左侧的P‑pillar和一部分栅极去除，并将第一N+区和第一体区转移到栅极的左侧方得到新建源极，减少了P‑pillar的数量，进而减少了反向导通时在P‑pillar中积累的电子，减少了反向恢复电荷，提高了反向恢复特性，使得器件的反向恢复电流更小，降低了器件的功耗。

主权项：1.一种提高反向恢复特性的SJMOS，其特征在于，包括：第一N+区和第一体区；所述第一N+区位于源极与第一体区之间，并与栅极侧壁、所述第一体区和所述源极邻接；所述第一体区位于第一N+区和N柱之间，并与所述第一N+区和所述栅极侧壁邻接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种提高反向恢复特性的SJ MOS及制备方法

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