申请/专利权人:深圳天狼芯半导体有限公司
申请日:2023-12-18
公开(公告)日:2024-01-19
公开(公告)号:CN117423731A
主分类号:H01L29/165
分类号:H01L29/165;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开
摘要:本发明提供一种具有异质结的SJSiCVDMOS及制备方法,该SJSiCVDMOS包括:硅层和P柱;所述硅层包括:第一体区,N+区、P+区和第一N柱;所述硅层位于碳化硅层与源极、栅极氧化层之间,并与源极和栅极氧化层邻接;所述P柱位于衬底和第二体区之间,并与所述衬底、第二体区和第二N柱邻接。本发明在碳化硅材料制成的漂移层上方沉积硅材料,让沟道制备在硅材料中,由于硅的沟道迁移率比碳化硅高,所以沟道在硅材料中具有较高的沟道迁移率,并且SJSiCVDMOS器件还同时拥有碳化硅材料带来的高击穿电压。
主权项:1.一种具有异质结的SJSiCVDMOS,其特征在于,包括:硅层和P柱;所述硅层包括:第一体区,N+区、P+区和第一N柱;所述硅层位于碳化硅层与源极、栅极氧化层之间,并与源极和栅极氧化层邻接;所述P柱位于衬底和第二体区之间,并与所述衬底、第二体区和第二N柱邻接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳天狼芯半导体有限公司 一种具有异质结的SJ SiC VDMOS及制备方法
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